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STD50NH02C 发布时间 时间:2025/7/22 21:00:45 查看 阅读:6

STD50NH02C 是一款由 STMicroelectronics(意法半导体)生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于电源管理和功率转换电路中。该器件采用先进的技术制造,具备低导通电阻(Rds(on))和高电流承载能力,适用于开关电源、电机控制、电池管理系统等领域。

参数

类型:N 沟道 MOSFET
  漏源电压(Vds):20V
  栅源电压(Vgs):±12V
  连续漏极电流(Id):50A(在 Tc=25°C)
  导通电阻(Rds(on)):最大 5.3mΩ(在 Vgs=10V)
  功率耗散(Ptot):100W
  工作温度范围:-55°C 至 +175°C
  封装形式:D2PAK(TO-263)

特性

STD50NH02C 的主要特性包括极低的导通电阻(Rds(on)),有助于降低功率损耗,提高系统效率。该器件采用先进的沟槽栅技术,提供了卓越的开关性能和导通性能。
  此外,该 MOSFET 具有高电流承载能力和优异的热稳定性,能够在高负载条件下可靠工作。其 D2PAK 封装形式支持表面贴装工艺,适用于自动化生产,并具有良好的散热性能。
  该器件还具备良好的抗雪崩能力和过温保护功能,能够在严苛的工作环境中保持稳定运行。栅极驱动电压范围宽,适用于多种控制电路设计,包括 PWM 控制器和驱动 IC。

应用

STD50NH02C 广泛应用于多种电力电子系统中,包括但不限于:开关电源(SMPS)、DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动器、电池充电器和管理系统(BMS)、LED 照明驱动电路以及汽车电子系统等。
  由于其低导通电阻和高效率特性,特别适合用于需要高电流和低电压操作的场合,如笔记本电脑电源适配器、服务器电源、电动工具和工业自动化设备中的功率控制模块。
  在汽车电子领域,该器件可用于车载充电系统、电动助力转向系统(EPS)以及电池管理系统中的主开关元件。

替代型号

STP50NF02C, IRF50N02C, STD50N3LLH6, STD50NM02C

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