时间：2025/7/22 21:00:45
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STD50NH02C 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理和功率转换电路中。该器件采用先进的技术制造，具备低导通电阻（Rds(on)）和高电流承载能力，适用于开关电源、电机控制、电池管理系统等领域。
类型：N 沟道 MOSFET
漏源电压（Vds）：20V
栅源电压（Vgs）：±12V
连续漏极电流（Id）：50A（在 Tc=25°C）
导通电阻（Rds(on)）：最大 5.3mΩ（在 Vgs=10V）
功率耗散（Ptot）：100W
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装形式：D2PAK（TO-263）
STD50NH02C 的主要特性包括极低的导通电阻（Rds(on)），有助于降低功率损耗，提高系统效率。该器件采用先进的沟槽栅技术，提供了卓越的开关性能和导通性能。
此外，该 MOSFET 具有高电流承载能力和优异的热稳定性，能够在高负载条件下可靠工作。其 D2PAK 封装形式支持表面贴装工艺，适用于自动化生产，并具有良好的散热性能。
该器件还具备良好的抗雪崩能力和过温保护功能，能够在严苛的工作环境中保持稳定运行。栅极驱动电压范围宽，适用于多种控制电路设计，包括 PWM 控制器和驱动 IC。
STD50NH02C 广泛应用于多种电力电子系统中，包括但不限于：开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动器、电池充电器和管理系统（BMS）、LED 照明驱动电路以及汽车电子系统等。
由于其低导通电阻和高效率特性，特别适合用于需要高电流和低电压操作的场合，如笔记本电脑电源适配器、服务器电源、电动工具和工业自动化设备中的功率控制模块。
在汽车电子领域，该器件可用于车载充电系统、电动助力转向系统（EPS）以及电池管理系统中的主开关元件。
STP50NF02C, IRF50N02C, STD50N3LLH6, STD50NM02C
