时间：2024/8/19 15:08:20
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SuperMESH?系列是通过对ST成熟的条形PowerMESH?布局进行极端优化而获得的。除了显著降低电阻外，还特别注意确保在要求最苛刻的应用中具有非常好的dv/dt能力。该系列补充了ST全系列高压MOSFET，包括革命性的MDmesh?产品。
极高的dv/dt能力
100%雪崩测试
栅极电荷最小化
非常低的固有电容
非常好的制造重复性
额定电压(DC)：800 V
额定电流：3.00 A
针脚数：3
漏源极电阻：3Ω
极性：N-Channel
耗散功率：80 W
阈值电压：3.75 V
漏源极电压(Vds)：800 V
漏源击穿电压：800 V
栅源击穿电压：±30.0 V
连续漏极电流(Ids)：1.50 A
上升时间：12 ns
正向电压(Max)：1.6 V
输入电容(Ciss)：575pF 25V(Vds)
额定功率(Max)：80 W
下降时间：32 ns
工作温度(Max)：150℃
工作温度(Min)：-55℃
耗散功率(Max)：80W(Tc)
安装方式：Surface Mount
引脚数：3
封装：TO-252-3
长度：6.6 mm
宽度：6.2 mm
高度：2.4 mm
封装：TO-252-3
RoHS标准：RoHS Compliant
含铅标准：Lead Free
REACH SVHC标准：No SVHC
产品生命周期：Not Recommended for New Designs
包装方式：Tape&Reel(TR)
制造应用：电源管理,工业
