STD4N80K5 时间：2025/7/23 15:27:39 阅读：5

STD4N80K5是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的高电压N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的STripFET?技术，提供低导通电阻、高开关性能和优异的热稳定性，适用于电源转换、电机控制、照明驱动等高功率应用场景。该MOSFET的漏源电压（VDS）为800V，连续漏极电流（ID）为4A，适用于需要高耐压和高效率的电力电子系统。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压(VDS)：800V
　　连续漏极电流(ID)：4A
　　最大栅源电压(VGS)：±30V
　　导通电阻(RDS(on))：典型值2.5Ω
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装形式：TO-220、D2PAK等

特性

STD4N80K5采用了STMicroelectronics的先进STripFET?技术，具有以下显著特性：
　　首先，该器件具有较低的导通电阻（RDS(on)），典型值为2.5Ω，这有助于降低导通损耗，提高系统效率。在高功率应用中，这种低RDS(on)特性可以显著提升能源利用率。
　　其次，该MOSFET具备高耐压能力，漏源电压可达800V，适用于高压电源转换器、AC-DC电源模块、LED照明驱动器等需要高电压隔离的系统。
　　此外，STD4N80K5具有良好的热稳定性，能够在高温环境下稳定运行，且封装形式（如TO-220和D2PAK）提供了良好的散热性能，适用于高功率密度设计。
　　其栅极驱动特性较为宽泛，支持±30V的最大栅源电压，提高了驱动电路设计的灵活性，同时也增强了器件的抗干扰能力。
　　该MOSFET的开关性能优异，能够实现快速开通与关断，减少开关损耗，适用于高频开关电源和DC-DC转换器。
　　最后，该器件具备高可靠性，符合工业级标准，广泛用于工业控制、消费类电子产品和智能家电等领域。

应用

STD4N80K5广泛应用于多个高功率电子系统中，尤其是在需要高耐压和高效能的场合。典型应用包括开关电源（SMPS）、AC-DC转换器、LED照明驱动电路、电机驱动器、电池充电器、UPS不间断电源、智能电表、家用电器控制电路等。由于其高耐压和良好的热管理性能，该MOSFET也常用于工业自动化设备中的电源模块和电机控制单元。此外，在新能源领域，如太阳能逆变器和储能系统中，该器件也可作为主开关器件使用。其优异的开关特性和可靠性使其在需要频繁开关操作的应用中表现出色，例如变频器、电机控制和智能照明系统。