时间：2025/6/26 12:20:13
阅读：6
STD45P4LLF6AG是意法半导体（STMicroelectronics）生产的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用PowerFLAT6x5封装，具有低导通电阻和快速开关特性，适用于多种功率转换和电机驱动应用。其主要特点是高效率、小体积和出色的热性能，适合在紧凑型设计中使用。
型号：STD45P4LLF6AG
封装：PowerFLAT6x5
VDS（漏源极击穿电压）：45V
RDS(on)（导通电阻，典型值）：4mΩ
ID（连续漏极电流）：30A
Qg（总栅极电荷）：20nC
EAS（雪崩能量）：218mJ
fT（特征频率）：2.1MHz
VGSS（栅源电压范围）：±20V
STD45P4LLF6AG的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻RDS(on)，有助于降低传导损耗并提高系统效率。
2. 快速开关速度，减少开关损耗，适用于高频开关应用。
3. 小型化的PowerFLAT6x5封装，节省PCB空间，非常适合紧凑型设计。
4. 出色的热性能，确保器件在高功率条件下稳定运行。
5. 高雪崩能量能力，增强器件的鲁棒性和可靠性。
6. 支持宽范围的工作温度，从-55℃到175℃，适应各种环境条件。
STD45P4LLF6AG广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS），如适配器、充电器等。
2. 电动工具和家用电器中的电机驱动。
3. LED照明驱动电路。
4. 汽车电子系统，例如DC/DC转换器和负载开关。
5. 工业控制设备中的功率管理模块。
STD45N4LLH6, IRFZ44N
