STD45N10F7 时间：2025/7/19 3:11:12 阅读：8

STD45N10F7 是意法半导体（STMicroelectronics）生产的一款N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于电源管理和功率转换领域。该器件采用先进的沟槽栅技术，具有低导通电阻（Rds(on)）和优异的开关性能，适合用于高效率、高频开关应用，如DC-DC转换器、同步整流器和电机控制电路等。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：100V
　　最大漏极电流（Id）：45A（在25°C）
　　导通电阻（Rds(on)）：约8.5mΩ（典型值，Vgs=10V）
　　最大功耗（Ptot）：90W
　　工作温度范围：-55°C 至 175°C
　　封装形式：PowerFLAT 5x6、TO-220、D2PAK等

特性

STD45N10F7 是一款高性能功率MOSFET，具有多项关键特性以满足现代电源系统的设计需求。首先，该器件具有非常低的导通电阻（Rds(on)），典型值约为8.5mΩ，能够在高电流工作条件下显著降低导通损耗，提高系统效率。其次，该MOSFET采用了先进的沟槽栅（Trench Gate）技术，使其在导通电阻与开关性能之间达到良好平衡，适用于高频开关应用。
　　此外，STD45N10F7 提供了良好的热稳定性和高电流承载能力，适用于苛刻的工业和汽车环境。其封装形式包括PowerFLAT 5x6、TO-220和D2PAK等，便于散热设计，并满足不同PCB布局需求。该器件还具有较高的雪崩能量承受能力，增强了系统在瞬态过压情况下的可靠性。
　　在驱动方面，该MOSFET的栅极电荷（Qg）较低，有助于降低驱动电路的功耗并提高开关速度。其工作温度范围为-55°C至175°C，适应高温工作环境，确保在各种应用条件下的稳定运行。

应用

STD45N10F7 主要用于需要高效能功率转换的应用场景。常见的应用包括DC-DC转换器、同步整流器、电机控制、电源管理模块、工业自动化系统以及车载电子设备。该器件的低导通电阻和优异的开关性能使其特别适用于高效率、高频率的电源设计，例如服务器电源、电信设备电源、电池充电器和UPS（不间断电源）系统。
　　由于其高可靠性和良好的热性能，该MOSFET也广泛应用于汽车电子系统，如车载充电器（OBC）、电动助力转向系统（EPS）和车载DC-DC变换器。在这些应用中，器件需要在高温和高电流条件下稳定运行，而STD45N10F7 能够提供优异的性能保障。
　　此外，该器件还适用于功率因数校正（PFC）电路、LED驱动电源、太阳能逆变器等绿色能源和节能设备中，为现代电力电子系统提供高效、紧凑的解决方案。