您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > STD45N10F7

STD45N10F7 发布时间 时间:2025/7/19 3:11:12 查看 阅读:8

STD45N10F7 是意法半导体(STMicroelectronics)生产的一款N沟道增强型功率MOSFET,广泛应用于电源管理和功率转换领域。该器件采用先进的沟槽栅技术,具有低导通电阻(Rds(on))和优异的开关性能,适合用于高效率、高频开关应用,如DC-DC转换器、同步整流器和电机控制电路等。

参数

类型:N沟道MOSFET
  最大漏源电压(Vds):100V
  最大漏极电流(Id):45A(在25°C)
  导通电阻(Rds(on)):约8.5mΩ(典型值,Vgs=10V)
  最大功耗(Ptot):90W
  工作温度范围:-55°C 至 175°C
  封装形式:PowerFLAT 5x6、TO-220、D2PAK等

特性

STD45N10F7 是一款高性能功率MOSFET,具有多项关键特性以满足现代电源系统的设计需求。首先,该器件具有非常低的导通电阻(Rds(on)),典型值约为8.5mΩ,能够在高电流工作条件下显著降低导通损耗,提高系统效率。其次,该MOSFET采用了先进的沟槽栅(Trench Gate)技术,使其在导通电阻与开关性能之间达到良好平衡,适用于高频开关应用。
  此外,STD45N10F7 提供了良好的热稳定性和高电流承载能力,适用于苛刻的工业和汽车环境。其封装形式包括PowerFLAT 5x6、TO-220和D2PAK等,便于散热设计,并满足不同PCB布局需求。该器件还具有较高的雪崩能量承受能力,增强了系统在瞬态过压情况下的可靠性。
  在驱动方面,该MOSFET的栅极电荷(Qg)较低,有助于降低驱动电路的功耗并提高开关速度。其工作温度范围为-55°C至175°C,适应高温工作环境,确保在各种应用条件下的稳定运行。

应用

STD45N10F7 主要用于需要高效能功率转换的应用场景。常见的应用包括DC-DC转换器、同步整流器、电机控制、电源管理模块、工业自动化系统以及车载电子设备。该器件的低导通电阻和优异的开关性能使其特别适用于高效率、高频率的电源设计,例如服务器电源、电信设备电源、电池充电器和UPS(不间断电源)系统。
  由于其高可靠性和良好的热性能,该MOSFET也广泛应用于汽车电子系统,如车载充电器(OBC)、电动助力转向系统(EPS)和车载DC-DC变换器。在这些应用中,器件需要在高温和高电流条件下稳定运行,而STD45N10F7 能够提供优异的性能保障。
  此外,该器件还适用于功率因数校正(PFC)电路、LED驱动电源、太阳能逆变器等绿色能源和节能设备中,为现代电力电子系统提供高效、紧凑的解决方案。

替代型号

STP45N10F7, FDP45N10, IRF1404, IPW45N10

STD45N10F7推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

STD45N10F7资料 更多>

  • 型号
  • 描述
  • 品牌
  • 阅览下载

STD45N10F7参数

  • 现有数量1,640现货
  • 价格1 : ¥12.24000剪切带(CT)2,500 : ¥5.87790卷带(TR)
  • 系列DeepGATE?, STripFET? VII
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)100 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)45A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)18 毫欧 @ 22.5A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)4.5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)25 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)1640 pF @ 50 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)60W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装DPAK
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63