STD45N10F7 是意法半导体(STMicroelectronics)生产的一款N沟道增强型功率MOSFET,广泛应用于电源管理和功率转换领域。该器件采用先进的沟槽栅技术,具有低导通电阻(Rds(on))和优异的开关性能,适合用于高效率、高频开关应用,如DC-DC转换器、同步整流器和电机控制电路等。
类型:N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds):100V
最大漏极电流(Id):45A(在25°C)
导通电阻(Rds(on)):约8.5mΩ(典型值,Vgs=10V)
最大功耗(Ptot):90W
工作温度范围:-55°C 至 175°C
封装形式:PowerFLAT 5x6、TO-220、D2PAK等
STD45N10F7 是一款高性能功率MOSFET,具有多项关键特性以满足现代电源系统的设计需求。首先,该器件具有非常低的导通电阻(Rds(on)),典型值约为8.5mΩ,能够在高电流工作条件下显著降低导通损耗,提高系统效率。其次,该MOSFET采用了先进的沟槽栅(Trench Gate)技术,使其在导通电阻与开关性能之间达到良好平衡,适用于高频开关应用。
此外,STD45N10F7 提供了良好的热稳定性和高电流承载能力,适用于苛刻的工业和汽车环境。其封装形式包括PowerFLAT 5x6、TO-220和D2PAK等,便于散热设计,并满足不同PCB布局需求。该器件还具有较高的雪崩能量承受能力,增强了系统在瞬态过压情况下的可靠性。
在驱动方面,该MOSFET的栅极电荷(Qg)较低,有助于降低驱动电路的功耗并提高开关速度。其工作温度范围为-55°C至175°C,适应高温工作环境,确保在各种应用条件下的稳定运行。
STD45N10F7 主要用于需要高效能功率转换的应用场景。常见的应用包括DC-DC转换器、同步整流器、电机控制、电源管理模块、工业自动化系统以及车载电子设备。该器件的低导通电阻和优异的开关性能使其特别适用于高效率、高频率的电源设计,例如服务器电源、电信设备电源、电池充电器和UPS(不间断电源)系统。
由于其高可靠性和良好的热性能,该MOSFET也广泛应用于汽车电子系统,如车载充电器(OBC)、电动助力转向系统(EPS)和车载DC-DC变换器。在这些应用中,器件需要在高温和高电流条件下稳定运行,而STD45N10F7 能够提供优异的性能保障。
此外,该器件还适用于功率因数校正(PFC)电路、LED驱动电源、太阳能逆变器等绿色能源和节能设备中,为现代电力电子系统提供高效、紧凑的解决方案。
STP45N10F7, FDP45N10, IRF1404, IPW45N10