时间：2025/8/25 2:53:21
阅读：13
STD3NK50Z是一款由意法半导体（STMicroelectronics）制造的N沟道功率MOSFET，广泛用于需要高效率和高性能的电源管理系统中。这款MOSFET设计用于在高电压条件下提供出色的导通电阻和开关性能，适用于多种工业和消费类应用。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(Vds)：500V
连续漏极电流(Id)：3A
栅源电压(Vgs)：±20V
导通电阻(Rds(on))：典型值2.5Ω
功率耗散：50W
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装类型：TO-220
工艺技术：高压MESH OVERLAY技术
STD3NK50Z采用了先进的高压MESH OVERLAY技术，使其在高电压应用中具有出色的导通电阻和开关性能。其低导通电阻有助于减少功率损耗，提高系统效率。此外，该器件具有良好的热稳定性，能够在高温环境下稳定工作。器件的封装设计使其具备良好的散热能力，从而增强了其在高功率应用中的可靠性。
该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽，支持从4.5V到10V的驱动电压，因此可以与多种控制器和驱动器兼容。这种灵活性使其在各种电源管理应用中非常受欢迎，包括DC-DC转换器、AC-DC适配器、马达控制和负载开关等。
此外，该器件具有较高的雪崩能量耐受能力，能够承受一定的过载和瞬态条件，从而提高了系统的整体可靠性。其设计也符合多种国际标准，适用于需要高可靠性和高性能的应用场景。
STD3NK50Z通常用于电源管理应用，包括AC-DC适配器、DC-DC转换器、马达控制、负载开关以及各种需要高电压和中等电流的工业控制系统。其高效率和高可靠性使其成为设计工程师在开发高性能电子设备时的首选器件。
STD3NK50Z的替代型号包括STP3NK50Z和FQP3N50C。这些型号具有相似的电气特性和封装形式，可以在大多数应用中作为直接替代品使用。
