STD3N40K3是一款由意法半导体(STMicroelectronics)生产的N沟道MOSFET功率晶体管。该器件采用了TO-220封装形式,具有高耐压和低导通电阻的特点,适用于各种开关电源、DC-DC转换器以及电机驱动等应用场合。
STD3N40K3通过其优异的电气性能和稳定性,能够为设计者提供高效的功率管理解决方案。它能够在高频条件下保持较低的损耗,并具备出色的热性能。
型号:STD3N40K3
封装:TO-220
最大漏源电压(Vds):400V
最大栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):3A
脉冲漏极电流(Ip):18A
导通电阻(Rds(on)):1.9Ω(在Vgs=10V时)
功耗(Ptot):75W
工作温度范围(Tj):-55℃至+150℃
结壳热阻(Rth(j-c)):1.4℃/W
STD3N40K3具有以下主要特性:
1. 高击穿电压:高达400V,适合高压应用环境。
2. 低导通电阻:在栅极驱动电压为10V时,导通电阻仅为1.9Ω,有助于降低导通损耗。
3. 快速开关速度:由于较低的输入电容和输出电荷,使得该器件能够实现快速的开关动作,从而减少开关损耗。
4. 热稳定性强:采用TO-220封装,散热性能良好,可承受较高的功耗。
5. 高可靠性:经过严格的质量控制流程制造,确保长期稳定运行。
6. 符合RoHS标准:环保无铅设计,满足国际环保要求。
STD3N40K3广泛应用于以下领域:
1. 开关模式电源(SMPS):
- AC-DC适配器
- 充电器
2. DC-DC转换器:
- 降压(Buck)或升压(Boost)电路
- 多相供电模块
3. 电机驱动:
- 小型直流电机控制
- 步进电机控制器
4. 电池保护:
- 过流、过压保护电路
- 反向电池保护
5. 逆变器:
- 小型太阳能逆变系统
- 不间断电源(UPS)
IRF540N
STP3NB55L
FQP17N20