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STD36P4LLF6 发布时间 时间:2025/5/24 14:13:16 查看 阅读:10

STD36P4LLF6是一款由STMicroelectronics(意法半导体)生产的功率MOSFET芯片,采用LFPAK封装形式。该器件专为需要高效率和低功耗的应用而设计,具有较低的导通电阻和较高的开关速度,适用于各种电源管理场景,例如DC-DC转换器、负载开关、电机驱动以及电池管理系统等。STD36P4LLF6采用了先进的制造工艺,确保了其在高温环境下仍能保持优异的性能。

参数

最大漏源电压:30V
  连续漏极电流:28A
  导通电阻:1.5mΩ
  栅极电荷:29nC
  开关时间:典型值ton=9ns,toff=17ns
  工作结温范围:-55℃至175℃

特性

STD36P4LLF6具备非常低的导通电阻,从而降低了功率损耗,提高了整体系统效率。
  该器件采用了铜夹片技术以优化热性能,并提供卓越的电气连接稳定性。
  它还支持高频开关操作,非常适合用于紧凑型设计中。
  STD36P4LLF6具有良好的短路耐受能力,增强了系统的可靠性和安全性。
  LFPAK封装形式提供了出色的散热性能,同时兼容标准表面贴装生产工艺。

应用

该功率MOSFET广泛应用于消费电子、工业设备和汽车电子领域。
  具体应用场景包括但不限于:
  - 开关电源中的同步整流器
  - 电动工具及家用电器的电机控制
  - 汽车电子中的负载切换与保护电路
  - 笔记本电脑和移动设备的充电管理模块
  - 多通道电源分配系统中的高效开关元件

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STD36P4LLF6参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格1 : ¥12.08000剪切带(CT)2,500 : ¥5.14200卷带(TR)
  • 系列STripFET? F6
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型P 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)40 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)36A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)20.5 毫欧 @ 18A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)22 nC @ 4.5 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)2850 pF @ 25 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)60W(Tc)
  • 工作温度175°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装DPAK
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63