时间：2025/5/20 16:55:06
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STD35P6LLF6 是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能，非常适合用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动和负载切换等应用。它采用了LFPAK6封装形式，这种封装具有较低的寄生电感和良好的散热性能。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：35A
导通电阻：1.4mΩ
栅极电荷：27nC
开关速度：快速
工作温度范围：-55℃至175℃
封装形式：LFPAK6
STD35P6LLF6具备低导通电阻，有助于减少功率损耗并提高效率。
其快速的开关速度使得它适合高频应用，并能降低电磁干扰。
由于采用了LFPAK6封装，该器件具有出色的散热
该产品还具有较高的雪崩耐量，能够增强在异常条件下的可靠性。
此外，STD35P6LLF6符合RoHS标准，环保且易于集成到现代电子系统中。
该MOSFET适用于多种电力电子应用场景，包括但不限于：
开关模式电源（SMPS）中的同步整流器。
降压或升压型DC-DC转换器。
电动工具及家用电器中的电机驱动电路。
负载切换和保护电路。
电池管理系统（BMS）中的充放电控制。
STD35NF6LLF6
IRF3205
FDP17N6
