STD30NF06-T4 时间：2025/7/22 16:22:23 阅读：9

STD30NF06-T4 是意法半导体（STMicroelectronics）生产的一款N沟道增强型MOSFET，广泛应用于电源管理和开关电路中。该器件采用TO-220封装，具有低导通电阻、高耐压和高电流能力，适合用于开关电源、DC-DC转换器、马达控制等应用场景。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电压（VDSS）：60V
　　最大漏极电流（ID）：31A（25°C时）
　　导通电阻（RDS(on)）：最大40mΩ（VGS=10V）
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：2V至4V
　　最大功耗（Ptot）：125W
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装形式：TO-220

特性

STD30NF06-T4具备低导通电阻，使其在高电流应用中具有较低的导通损耗，提高整体效率。该MOSFET采用先进的制造工艺，确保了在高温条件下的稳定性和可靠性。
　　其高耐压特性（60V）使其适用于中等功率的开关应用，如DC-DC转换器、负载开关和电机控制电路。
　　此外，该器件具有良好的热性能，TO-220封装可提供良好的散热效果，适用于需要高可靠性的工业和汽车应用。
　　内部寄生二极管具有良好的反向恢复特性，适合用于高频开关场合。该MOSFET的栅极驱动要求较低，兼容常见的10V栅极驱动器，便于设计和应用。
　　其坚固的结构设计使其在恶劣环境下也能保持稳定的性能，适用于多种电源管理场景。