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STD30N06 发布时间 时间:2025/6/4 3:10:02 查看 阅读:9

STD30N06是一种N沟道增强型功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),由意法半导体(STMicroelectronics)生产。该器件具有低导通电阻和高电流处理能力,适用于开关电源、DC-DC转换器、负载开关以及电机驱动等应用。它采用TO-220封装形式,具有出色的散热性能。
  STD30N06的主要特点是其额定电压为60V,最大漏极电流为30A,这使得它在中低压应用领域表现优异。此外,该MOSFET还具有快速开关特性和较低的栅极电荷,能够有效降低开关损耗。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:30A
  导通电阻(Rds(on)):15mΩ(典型值,在Vgs=10V时)
  栅极电荷:17nC(典型值)
  总功耗:140W
  工作结温范围:-55℃至+175℃
  封装形式:TO-220

特性

STD30N06具备低导通电阻,可显著减少传导损耗,提高系统效率。
  其快速开关速度有助于降低开关损耗,特别适合高频开关应用。
  由于采用了先进的制造工艺,该MOSFET能够在高温环境下稳定运行,提高了可靠性和使用寿命。
  STD30N06还具有较强的雪崩能力,可以承受短时间内的过载或异常情况,增强了电路的保护功能。
  此外,其简单的驱动要求和兼容性强的特点使其易于集成到各种设计中。

应用

STD30N06广泛应用于多个领域,包括但不限于以下方面:
  1. 开关电源(SMPS):如AC-DC适配器和充电器中的主开关元件。
  2. DC-DC转换器:用于降压或升压转换,提供高效的能量传递。
  3. 电机驱动:控制直流无刷电机或步进电机的速度和方向。
  4. 负载开关:实现对负载的快速开启和关闭,防止浪涌电流损坏下游设备。
  5. 电池管理系统:保护电池免受过充、过放及短路的影响。
  6. 工业自动化设备:例如PLC控制器和伺服驱动器中的功率级元件。

替代型号

IRF540N, FDP5800, AO3400

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