STD3055L 是一款由意法半导体(STMicroelectronics)制造的 N 治道功率场效应晶体管(MOSFET)。该器件专为高效率开关应用设计,广泛用于直流-直流转换器、负载开关、电机驱动和电源管理等场景。
STD3055L 采用了先进的沟槽技术,从而降低了导通电阻(Rds(on)),提高了效率并减少了功率损耗。其封装形式通常为 SOT-223 或 DPAK,这种封装方式有助于提高散热性能。
最大漏源电压:55V
连续漏极电流:16A
导通电阻(Rds(on)):7mΩ(典型值,于 Vgs=10V 时)
栅极电荷:18nC(典型值)
总功耗:130W
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
封装形式:SOT-223/DPAK
STD3055L 具有以下主要特性:
1. 极低的导通电阻 Rds(on),可以有效降低传导损耗,提升系统效率。
2. 高雪崩能力,增强了器件在过流或短路条件下的鲁棒性。
3. 快速开关性能,适合高频开关应用。
4. 符合 RoHS 标准,环保无铅。
5. 热稳定性良好,能够在较宽的工作温度范围内保持性能。
6. 小型化封装,便于 PCB 布局设计,同时提供良好的散热性能。
STD3055L 广泛应用于各种电力电子领域,包括但不限于:
1. 开关模式电源(SMPS)中的功率开关。
2. 直流-直流转换器中的同步整流元件。
3. 负载开关,在便携式设备中实现电路保护与控制。
4. 电池管理系统(BMS)中的充放电路径控制。
5. 工业自动化中的电机驱动电路。
6. 汽车电子应用中的负载切换和保护功能。
由于其出色的电气特性和可靠性,这款 MOSFET 成为了许多高性能应用的理想选择。
STD3055, IRF3205, AO3400