STD2NK70Z-1是一款由意法半导体(STMicroelectronics)生产的N沟道功率MOSFET,广泛应用于电源管理和功率转换电路中。该器件采用了先进的技术,具备高效能和高可靠性的特点,适用于如电源适配器、DC-DC转换器、电池充电器等高频开关电源设计。
类型:N沟道
漏源电压(Vds):700V
连续漏极电流(Id)@25°C:2A
导通电阻(Rds(on)):1.2Ω @ Vgs=10V
栅极阈值电压(Vgs(th)):2V~4V
最大功耗(Ptot):40W
封装类型:TO-220
工作温度范围:-55°C ~ 150°C
STD2NK70Z-1具备优异的导通性能和开关特性,适用于高效率功率转换设计。
其高耐压能力(700V)使其能够应用于高输入电压的场合,例如AC/DC电源转换器。
低导通电阻(Rds(on))减少了导通损耗,从而提高了整体系统的能效。
此外,该MOSFET采用了先进的平面技术,具有良好的热稳定性和可靠性,适用于长时间高负载工作的应用环境。
其封装形式为TO-220,具备良好的散热性能,便于安装和使用。
栅极驱动电压范围适中(通常为10V),可兼容多种常见的驱动电路设计,简化了外围电路的复杂度。
在短路或过载条件下,该器件也具备一定的耐受能力,提高了系统的稳定性。
该MOSFET还具备快速开关特性,减少了开关损耗,有助于提高电源系统的整体效率。
此外,STD2NK70Z-1的设计符合RoHS环保标准,符合现代电子产品的环保要求。
STD2NK70Z-1广泛应用于多种电源管理系统中,例如AC-DC电源适配器、电池充电器、DC-DC转换器以及照明控制系统等。
其高耐压特性适合用于高压输入环境,例如离线式电源转换器(Off-line Converters)中作为主开关元件。
在消费类电子产品中,如笔记本电脑电源适配器、电视电源模块等,该器件可作为功率开关,用于实现高效的能量转换。
在工业应用中,它也可用于电机驱动、电源模块和UPS(不间断电源)系统中,提供稳定可靠的功率控制。
此外,该MOSFET也可用于LED照明驱动电路中,实现高效率的恒流控制。
由于其良好的热稳定性和耐用性,该器件也适用于需要长时间运行的工业控制设备和自动化系统中。
在新能源领域,如太阳能逆变器、风能转换系统中,该MOSFET也可作为功率开关使用,实现高效的能量转换与管理。
STD2NK65Z-1, STD2NK60ZM5, FQP7N80