时间：2025/6/10 13:07:33
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STD26NF10T4是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的N沟道增强型MOSFET。该器件采用Trench技术制造，具有较低的导通电阻和较高的电流处理能力，适用于多种开关和功率管理应用。
该器件的封装形式为TO-220 Full Pack，适合于高功率密度设计，并且其工作电压范围可达100V，能够承受较大的漏源极电压。同时，它还具备快速开关特性和低栅极电荷，使其非常适合用于DC-DC转换器、电机驱动以及负载开关等场合。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：26A
导通电阻（典型值）：9.5mΩ
栅极电荷（Qg）：48nC
开关时间：ton=14ns，toff=36ns
工作结温范围：-55℃至175℃
封装类型：TO-220 Full Pack
STD26NF10T4的主要特性包括：
1. 超低导通电阻，有助于降低功率损耗并提高系统效率。
2. 高电流处理能力，允许在大电流条件下稳定运行。
3. 快速开关速度，减少开关损耗，特别适合高频应用。
4. 宽工作温度范围，使其能够在恶劣环境条件下可靠运行。
5. 符合RoHS标准，环保且满足现代电子产品的合规要求。
6. 具有优秀的雪崩能力和抗静电能力，增强了器件的鲁棒性。
这些特性使STD26NF10T4成为工业控制、汽车电子以及消费类电子产品中高性能功率转换的理想选择。
STD26NF10T4广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的功率开关元件。
2. DC-DC转换器中的同步整流管或主开关管。
3. 电机驱动电路中的功率输出级。
4. 各种负载开关应用，如电池保护电路。
5. 逆变器和UPS系统中的关键功率元件。
6. 汽车电子设备中的功率管理模块。
由于其高效率和可靠性，这款MOSFET非常适合需要高效能量转换和精确功率控制的应用场景。
STD26NF10L, IRFZ44N, FDP027N10S
