时间：2025/5/24 14:12:05
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STD25NF10LA 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用 TO-220AC 封装形式，适用于需要高效率和低导通电阻的开关应用。其耐压能力为 100V，并且具有较低的导通电阻，使其非常适合于各种工业、汽车和消费类电子应用。
该型号是 STD 系列 MOSFET 的一部分，以高可靠性和出色的电气性能著称。它广泛用于电源管理、电机驱动、负载切换以及其他高电流场景。
最大漏源电压：100V
最大连续漏极电流：25A
导通电阻（典型值，在 Vgs=10V 时）：6.5mΩ
栅极电荷（典型值）：49nC
总功耗：187W
工作结温范围：-55℃ 至 +150℃
封装形式：TO-220AC
STD25NF10LA 的主要特性包括：
1. 高耐压能力（100V），能够在较高电压环境下稳定运行。
2. 极低的导通电阻（6.5mΩ 典型值），有助于减少导通损耗并提高系统效率。
3. 快速开关速度，得益于较低的栅极电荷，适合高频应用。
4. 符合 RoHS 标准，环保且易于集成到现代设计中。
5. 大电流处理能力（25A 连续漏极电流），适用于高功率场景。
6. 工作温度范围广（-55℃ 至 +150℃），确保在极端环境下的可靠性。
7. TO-220AC 封装，便于散热设计和安装。
这些特性使得 STD25NF10LA 成为高性能功率转换和开关应用的理想选择。
STD25NF10LA 可应用于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS）中的主开关或同步整流器。
2. 电机驱动电路中的功率级开关元件。
3. 负载切换和保护电路。
4. DC-DC 转换器中的功率 MOSFET。
5. 汽车电子系统中的高电流开关。
6. 各种工业控制设备中的功率管理模块。
由于其低导通电阻和高电流处理能力，这款 MOSFET 特别适合需要高效能和高可靠性的应用场景。
STD25NF10L, IRFZ44N, FDP55N10
