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STD22NM20NT4 发布时间 时间:2023/6/9 14:11:23 查看 阅读:250

类别:分离式半导体产品

目录

概述

家庭:MOSFET,GaNFET - 单

系列:MDmesh?

FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物

FET 特点:标准型

开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:105 毫欧 @ 11A, 10V

漏极至源极电压(Vdss):200V

电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:22A

Id 时的 Vgs(th)(最大):5V @ 250μA

闸电荷(Qg) @ Vgs:50nC @ 10V

在 Vds 时的输入电容(Ciss) :800pF @ 25V

功率 - 最大:100W

安装类型:表面贴装

封装/外壳:DPak, SC-63,TO-252(2 引线+接片)

包装:带卷 (TR)

其它名称:497-4653-2


资料

厂商
STMICROELECTRONICS

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STD22NM20NT4参数

  • 标准包装1
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列MDmesh™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)200V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C22A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C105 毫欧 @ 11A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs50nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds800pF @ 25V
  • 功率 - 最大100W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装D-Pak
  • 包装Digi-Reel?
  • 其它名称497-4653-6