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STD20N20T4 发布时间 时间:2025/7/22 5:17:17 查看 阅读:5

STD20N20T4是一款由意法半导体(STMicroelectronics)生产的N沟道增强型功率MOSFET晶体管。该器件设计用于高功率应用,具有良好的热稳定性和低导通电阻特性。其封装形式为TO-220,便于散热,适用于各种电源管理和功率控制电路。

参数

类型:N沟道
  最大漏极电流:20A
  最大漏源电压:200V
  导通电阻(Rds(on)):0.25Ω
  栅极电压范围:±20V
  最大功耗:125W
  工作温度范围:-55°C至150°C
  封装形式:TO-220

特性

STD20N20T4具有低导通电阻(Rds(on))的特点,这使得器件在导通状态下能够提供较低的电压降,从而减少功率损耗,提高系统效率。该MOSFET的高耐压能力使其适用于200V以下的开关电源、DC-DC转换器、电机驱动器等应用。
  此外,该器件具有良好的热稳定性,能够在高电流和高温环境下稳定工作。TO-220封装形式提供了良好的散热性能,有助于延长器件的使用寿命。STD20N20T4还具有较快的开关速度,适用于高频开关电路,从而提高系统的整体效率和响应速度。
  该MOSFET的栅极电压范围为±20V,确保了在各种驱动条件下都能可靠工作。其最大漏极电流为20A,适合用于需要较高电流负载的应用场景。此外,该器件的制造工艺采用了先进的功率MOSFET技术,确保了其在高功率应用中的可靠性和稳定性。

应用

STD20N20T4广泛应用于各种电源管理系统和功率控制电路中。例如,它可用于开关电源(SMPS)中的主开关元件,以提高电源转换效率并减少热量产生。在DC-DC转换器中,该MOSFET可以作为高频开关,实现高效的电压调节。
  该器件还常用于电机驱动器和电动工具中,作为控制电机转速和方向的关键元件。此外,STD20N20T4也适用于逆变器、UPS(不间断电源)、电池管理系统以及工业自动化设备中的功率控制电路。
  由于其良好的热稳定性和高电流承载能力,该MOSFET也常用于汽车电子系统中的功率管理模块,如车载充电器、LED照明驱动器和电动助力转向系统。

替代型号

STP20N20, FDP20N20, IRFZ44N

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STD20N20T4参数

  • 标准包装2,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列STripFET™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)200V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C18A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C125 毫欧 @ 10A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs39nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds940pF @ 25V
  • 功率 - 最大90W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装D-Pak
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称497-4330-2