时间：2025/7/22 16:16:27
阅读：8
STD1NK60T4 是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款高电压功率MOSFET，属于N沟道增强型晶体管。该器件设计用于需要高效率和高可靠性的电源管理应用，例如开关电源（SMPS）、LED照明、电机控制以及家用电器等。该MOSFET采用了先进的技术，能够在高电压下提供出色的导通性能和低开关损耗。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压（Vds）：600V
最大连续漏极电流（Id）：1.2A
最大脉冲漏极电流（Idm）：4.8A
导通电阻（Rds(on)）：最大值为1.2Ω（在Vgs=10V时）
栅极阈值电压（Vgs(th)）：2V至4V
功率耗散（Ptot）：30W
工作温度范围：-55°C至150°C
封装形式：TO-220FP
STD1NK60T4 具备多项优异特性，首先其高电压耐受能力达到600V，适用于各种高电压应用场景。其次，该MOSFET在导通状态下具有较低的导通电阻（Rds(on)），这有助于降低导通损耗，提高系统效率。
此外，该器件的栅极阈值电压范围适中（2V至4V），能够兼容常见的控制电路，确保稳定的工作性能。其TO-220FP封装形式不仅提供了良好的散热能力，还便于安装和集成到电路板中。
该MOSFET还具备出色的开关性能，能够快速切换，从而降低开关损耗。其高可靠性和耐久性使其适用于严苛的工作环境，如工业控制和家用电器等。
最后，该器件在设计上考虑了热保护和过载保护功能，能够在异常工作条件下提供一定的安全保障。
STD1NK60T4 通常应用于开关电源（SMPS），如适配器、充电器和电源模块；LED照明驱动电路；家用电器中的电机控制，如洗衣机、空调和风扇；以及工业自动化设备中的功率控制电路。其高电压能力和高效性能使其成为许多高电压、中低电流应用场景的理想选择。
STD2NK60T4, STF1NK60T4, STD1NK60Z4
