STD1NK60T4 是意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款高电压功率MOSFET,属于N沟道增强型晶体管。该器件设计用于需要高效率和高可靠性的电源管理应用,例如开关电源(SMPS)、LED照明、电机控制以及家用电器等。该MOSFET采用了先进的技术,能够在高电压下提供出色的导通性能和低开关损耗。
类型:N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(Vds):600V
最大连续漏极电流(Id):1.2A
最大脉冲漏极电流(Idm):4.8A
导通电阻(Rds(on)):最大值为1.2Ω(在Vgs=10V时)
栅极阈值电压(Vgs(th)):2V至4V
功率耗散(Ptot):30W
工作温度范围:-55°C至150°C
封装形式:TO-220FP
STD1NK60T4 具备多项优异特性,首先其高电压耐受能力达到600V,适用于各种高电压应用场景。其次,该MOSFET在导通状态下具有较低的导通电阻(Rds(on)),这有助于降低导通损耗,提高系统效率。
此外,该器件的栅极阈值电压范围适中(2V至4V),能够兼容常见的控制电路,确保稳定的工作性能。其TO-220FP封装形式不仅提供了良好的散热能力,还便于安装和集成到电路板中。
该MOSFET还具备出色的开关性能,能够快速切换,从而降低开关损耗。其高可靠性和耐久性使其适用于严苛的工作环境,如工业控制和家用电器等。
最后,该器件在设计上考虑了热保护和过载保护功能,能够在异常工作条件下提供一定的安全保障。
STD1NK60T4 通常应用于开关电源(SMPS),如适配器、充电器和电源模块;LED照明驱动电路;家用电器中的电机控制,如洗衣机、空调和风扇;以及工业自动化设备中的功率控制电路。其高电压能力和高效性能使其成为许多高电压、中低电流应用场景的理想选择。
STD2NK60T4, STF1NK60T4, STD1NK60Z4