您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > STD1NK60T4

STD1NK60T4 发布时间 时间:2025/7/22 16:16:27 查看 阅读:5

STD1NK60T4 是意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款高电压功率MOSFET,属于N沟道增强型晶体管。该器件设计用于需要高效率和高可靠性的电源管理应用,例如开关电源(SMPS)、LED照明、电机控制以及家用电器等。该MOSFET采用了先进的技术,能够在高电压下提供出色的导通性能和低开关损耗。

参数

类型:N沟道增强型MOSFET
  最大漏源电压(Vds):600V
  最大连续漏极电流(Id):1.2A
  最大脉冲漏极电流(Idm):4.8A
  导通电阻(Rds(on)):最大值为1.2Ω(在Vgs=10V时)
  栅极阈值电压(Vgs(th)):2V至4V
  功率耗散(Ptot):30W
  工作温度范围:-55°C至150°C
  封装形式:TO-220FP

特性

STD1NK60T4 具备多项优异特性,首先其高电压耐受能力达到600V,适用于各种高电压应用场景。其次,该MOSFET在导通状态下具有较低的导通电阻(Rds(on)),这有助于降低导通损耗,提高系统效率。
  此外,该器件的栅极阈值电压范围适中(2V至4V),能够兼容常见的控制电路,确保稳定的工作性能。其TO-220FP封装形式不仅提供了良好的散热能力,还便于安装和集成到电路板中。
  该MOSFET还具备出色的开关性能,能够快速切换,从而降低开关损耗。其高可靠性和耐久性使其适用于严苛的工作环境,如工业控制和家用电器等。
  最后,该器件在设计上考虑了热保护和过载保护功能,能够在异常工作条件下提供一定的安全保障。

应用

STD1NK60T4 通常应用于开关电源(SMPS),如适配器、充电器和电源模块;LED照明驱动电路;家用电器中的电机控制,如洗衣机、空调和风扇;以及工业自动化设备中的功率控制电路。其高电压能力和高效性能使其成为许多高电压、中低电流应用场景的理想选择。

替代型号

STD2NK60T4, STF1NK60T4, STD1NK60Z4

STD1NK60T4推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

STD1NK60T4资料 更多>

  • 型号
  • 描述
  • 品牌
  • 阅览下载

STD1NK60T4参数

  • 其它有关文件STD1NK60 View All Specifications
  • 标准包装1
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列SuperMESH™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)600V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C1A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C8.5 欧姆 @ 500mA,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)3.7V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs10nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds156pF @ 25V
  • 功率 - 最大30W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装D-Pak
  • 包装Digi-Reel?
  • 其它名称497-2483-6