类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：450 V
　　最大栅源电压（VGS）：±30 V
　　最大连续漏极电流（ID）：1.4 A
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值为 1.2 Ω @ VGS = 10 V
　　最大功耗（PD）：50 W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：DPAK（TO-252）

STD1NC45-1 具有以下主要特性：
　　首先，该MOSFET采用STMicroelectronics先进的SuperMESH技术，使得器件在保持高耐压能力的同时，具有非常低的导通电阻（RDS(on)），从而有效降低导通损耗，提高系统效率。
　　其次，该器件具备良好的热稳定性，其DPAK封装形式具有优异的散热性能，适用于高功率密度的设计需求。
　　此外，STD1NC45-1的栅极驱动电压范围较宽，支持±30V的栅源电压，使其能够与多种驱动电路兼容，并具备较强的抗干扰能力。
　　在动态性能方面，该MOSFET的开关速度快，具有较低的输入和输出电容，适用于高频开关应用，有助于减小电源系统的体积和重量。
　　最后，该器件具备较高的雪崩能量承受能力，增强了在异常工况下的稳定性和可靠性，适用于工业级和汽车电子等高要求环境。

STD1NC45-1 主要应用于以下领域：
　　在开关电源（SMPS）中作为主开关器件，适用于AC-DC转换器、反激式电源等拓扑结构，具备高效率和高稳定性的优势。
　　用于DC-DC转换器中，如升压（Boost）、降压（Buck）电路，满足高频率和高效率的设计需求。
　　在负载开关电路中作为控制元件，实现对负载的快速开通与关断，适用于电源管理模块和智能电源分配系统。
　　在电机驱动和功率控制电路中，用于控制电机的启停和速度调节，适用于家电、工业自动化和电动工具等应用场景。
　　此外，该MOSFET也适用于LED照明驱动、电池管理系统（BMS）、太阳能逆变器等新能源和节能产品中。

STD1NC40-1, STD1NC45-2, STW1N45-1