时间：2025/6/30 13:02:42
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STD18NF03LT是意法半导体（STMicroelectronics）生产的一款N沟道增强型功率MOSFET。该器件采用TO-220封装形式，广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及负载开关等场景中。其低导通电阻和高电流处理能力使其成为高效能应用的理想选择。
型号：STD18NF03LT
类型：N沟道增强型MOSFET
Vds（漏源极击穿电压）：30V
Rds(on)（导通电阻，典型值@Vgs=10V）：1.7mΩ
Id（连续漏极电流）：18A
Vgs（栅源极电压范围）：±20V
封装形式：TO-220
fT（特征频率）：4.6MHz
工作温度范围：-55℃ to +150℃
STD18NF03LT是一款高性能的N沟道功率MOSFET，具有非常低的导通电阻（Rds(on)），这有助于减少传导损耗并提高效率。
该器件支持高达18A的连续漏极电流，能够承受较大的负载，并且在高频开关应用中表现良好。
其采用标准的TO-220封装，便于安装和散热设计。
STD18NF03LT的低栅极电荷（Qg）使得其开关速度快，适合高频开关应用。
此外，该MOSFET的工作温度范围宽广，能够在极端环境条件下稳定运行。
STD18NF03LT常用于以下领域：
- 开关电源（SMPS）中的同步整流器
- DC-DC转换器
- 电池管理系统
- 电机驱动控制
- 各种负载开关和保护电路
由于其高效的导通特性和高电流处理能力，它非常适合需要低功耗和高可靠性的电力电子应用。
IRFZ44N
STP18NF06L
FDP18N06
