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STD17NE03L-TR 发布时间 时间:2025/7/22 23:00:37 查看 阅读:9

STD17NE03L-TR是一款由意法半导体(STMicroelectronics)生产的N沟道增强型功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于高功率和高频率的应用。这款MOSFET采用了先进的技术,提供了出色的性能和可靠性,适用于电源管理、电机控制、DC-DC转换器以及各种高功率电子设备。

参数

类型:N沟道
  漏源电压(Vds):30V
  栅源电压(Vgs):±20V
  漏极电流(Id):17A
  导通电阻(Rds(on)):0.024Ω
  工作温度:-55°C至175°C
  封装类型:TO-220
  功率耗散:125W

特性

STD17NE03L-TR具有多项显著特性,使其在高性能应用中表现出色。首先,其低导通电阻(Rds(on))仅为0.024Ω,使得在高电流条件下能够最大限度地减少功率损耗,提高系统效率。此外,该器件具有较高的漏极电流能力(17A),适合处理大电流负载。
  其次,该MOSFET具备宽泛的工作温度范围(-55°C至175°C),可在极端环境条件下稳定工作,增强了其在工业和汽车电子中的适用性。同时,其最大漏源电压为30V,适用于多种中等电压应用。
  该器件还具有良好的热稳定性,采用TO-220封装形式,具有良好的散热性能,有助于在高功率条件下维持较低的结温。此外,其栅极驱动电压范围较宽(±20V),便于与各种驱动电路兼容。
  最后,该MOSFET具备较强的短路和过载承受能力,提高了系统的可靠性和耐用性,适用于电机驱动、开关电源(SMPS)、电池管理系统和逆变器等多种应用场合。

应用

STD17NE03L-TR广泛应用于需要高效能和高可靠性的电子系统中。例如,在电源管理系统中,它可用于DC-DC转换器、同步整流电路以及负载开关控制,有效提高电源转换效率并减少热量产生。
  在电机控制领域,该MOSFET适用于直流电机驱动、步进电机控制器以及无刷电机控制系统,其高电流承载能力和低导通电阻有助于实现平稳、高效的电机运行。
  此外,它也常用于电池管理系统(BMS),特别是在电动车、储能系统和便携式设备中,用于电池充放电管理、保护电路和能量回馈系统。
  在工业自动化和控制设备中,该MOSFET可用于继电器替代、固态开关、电源分配系统等,提高设备的响应速度和稳定性。
  最后,该器件也适用于高频开关应用,如谐振转换器、LED驱动器和功率因数校正(PFC)电路,其快速开关特性和低损耗特性有助于提升整体系统性能。

替代型号

IRF3710, FDP17N30, STD18NE03L-TR

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