类型：N沟道
　　漏源电压（Vds）：30V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　漏极电流（Id）：17A
　　导通电阻（Rds(on)）：0.024Ω
　　工作温度：-55°C至175°C
　　封装类型：TO-220
　　功率耗散：125W

STD17NE03L-TR具有多项显著特性，使其在高性能应用中表现出色。首先，其低导通电阻（Rds(on)）仅为0.024Ω，使得在高电流条件下能够最大限度地减少功率损耗，提高系统效率。此外，该器件具有较高的漏极电流能力（17A），适合处理大电流负载。
　　其次，该MOSFET具备宽泛的工作温度范围（-55°C至175°C），可在极端环境条件下稳定工作，增强了其在工业和汽车电子中的适用性。同时，其最大漏源电压为30V，适用于多种中等电压应用。
　　该器件还具有良好的热稳定性，采用TO-220封装形式，具有良好的散热性能，有助于在高功率条件下维持较低的结温。此外，其栅极驱动电压范围较宽（±20V），便于与各种驱动电路兼容。
　　最后，该MOSFET具备较强的短路和过载承受能力，提高了系统的可靠性和耐用性，适用于电机驱动、开关电源（SMPS）、电池管理系统和逆变器等多种应用场合。

STD17NE03L-TR广泛应用于需要高效能和高可靠性的电子系统中。例如，在电源管理系统中，它可用于DC-DC转换器、同步整流电路以及负载开关控制，有效提高电源转换效率并减少热量产生。
　　在电机控制领域，该MOSFET适用于直流电机驱动、步进电机控制器以及无刷电机控制系统，其高电流承载能力和低导通电阻有助于实现平稳、高效的电机运行。
　　此外，它也常用于电池管理系统（BMS），特别是在电动车、储能系统和便携式设备中，用于电池充放电管理、保护电路和能量回馈系统。
　　在工业自动化和控制设备中，该MOSFET可用于继电器替代、固态开关、电源分配系统等，提高设备的响应速度和稳定性。
　　最后，该器件也适用于高频开关应用，如谐振转换器、LED驱动器和功率因数校正（PFC）电路，其快速开关特性和低损耗特性有助于提升整体系统性能。

IRF3710, FDP17N30, STD18NE03L-TR