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STD16NF25 发布时间 时间:2025/7/22 22:53:30 查看 阅读:5

STD16NF25 是一款由意法半导体(STMicroelectronics)生产的N沟道增强型功率MOSFET。该器件设计用于高效率的电源转换应用,具有较低的导通电阻和较高的电流承载能力。其封装形式通常为TO-220或D2PAK,适用于多种工业和消费类电子产品。

参数

类型:N沟道
  最大漏极电流:16A
  最大漏源电压:250V
  导通电阻(Rds(on)):0.18Ω
  栅极电压范围:±20V
  工作温度范围:-55°C 至 150°C
  封装类型:TO-220、D2PAK

特性

STD16NF25 的主要特性包括较低的导通电阻,这有助于减少导通损耗,提高系统效率。此外,该器件具有较高的电流承载能力和良好的热稳定性,能够在较高的温度下正常工作。其快速开关特性使得该MOSFET适用于高频开关电源应用。该器件的封装设计也便于散热,提高了整体的可靠性。
  此外,STD16NF25 具有良好的短路耐受能力,能够在瞬态条件下保持稳定运行。其栅极结构设计优化,减少了开关损耗,并提高了抗干扰能力。该MOSFET还具备较高的雪崩能量承受能力,从而增强了器件在过载或异常情况下的鲁棒性。

应用

STD16NF25 主要用于各类功率转换设备中,如开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、电机控制器、照明设备以及电池充电器等。由于其高效率和高可靠性,该器件也广泛应用于工业自动化设备、家电控制电路以及新能源系统中,例如太阳能逆变器和储能系统。

替代型号

STP16NF25, IRF16N25, FDP16N25

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STD16NF25参数

  • 其它有关文件STD16NF25 View All Specifications
  • 标准包装1
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列STripFET™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)250V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C13A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C235 毫欧 @ 6.5A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs18nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds680pF @ 25V
  • 功率 - 最大90W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装D-Pak
  • 包装Digi-Reel?
  • 其它名称497-7959-6