STD16NF25 是一款由意法半导体(STMicroelectronics)生产的N沟道增强型功率MOSFET。该器件设计用于高效率的电源转换应用,具有较低的导通电阻和较高的电流承载能力。其封装形式通常为TO-220或D2PAK,适用于多种工业和消费类电子产品。
类型:N沟道
最大漏极电流:16A
最大漏源电压:250V
导通电阻(Rds(on)):0.18Ω
栅极电压范围:±20V
工作温度范围:-55°C 至 150°C
封装类型:TO-220、D2PAK
STD16NF25 的主要特性包括较低的导通电阻,这有助于减少导通损耗,提高系统效率。此外,该器件具有较高的电流承载能力和良好的热稳定性,能够在较高的温度下正常工作。其快速开关特性使得该MOSFET适用于高频开关电源应用。该器件的封装设计也便于散热,提高了整体的可靠性。
此外,STD16NF25 具有良好的短路耐受能力,能够在瞬态条件下保持稳定运行。其栅极结构设计优化,减少了开关损耗,并提高了抗干扰能力。该MOSFET还具备较高的雪崩能量承受能力,从而增强了器件在过载或异常情况下的鲁棒性。
STD16NF25 主要用于各类功率转换设备中,如开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、电机控制器、照明设备以及电池充电器等。由于其高效率和高可靠性,该器件也广泛应用于工业自动化设备、家电控制电路以及新能源系统中,例如太阳能逆变器和储能系统。
STP16NF25, IRF16N25, FDP16N25