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STD16NE06LT4 发布时间 时间:2025/6/12 14:37:16 查看 阅读:11

STD16NE06LT4 是一款由意法半导体(STMicroelectronics)生产的达林顿晶体管阵列,采用 SO-16 封装。该器件内部集成了 8 对高增益达林顿晶体管,能够驱动多种负载,广泛应用于继电器、灯泡、电机等设备的控制场景。
  这款芯片具有低饱和电压和高电流承载能力,适用于需要大功率驱动的应用场合。同时,它还提供了过温保护和过流保护功能,确保在复杂环境下的稳定运行。

参数

类型:达林顿晶体管阵列
  封装:SO-16
  工作电压范围:VCEO = 60V
  最大集电极电流:IC = 500mA(单通道)
  功耗:PD = 625mW(每通道)
  工作温度范围:-40°C 至 +150°C
  增益:最小 hFE = 3000
  输入触发电流:典型值 Iin = 10μA

特性

STD16NE06LT4 的主要特性包括:
  1. 内置 8 对达林顿晶体管,提供强大的驱动能力。
  2. 高增益性能,使得输入驱动信号需求较低。
  3. 每个输出通道都具备独立的保护机制,防止因过载或短路导致损坏。
  4. 宽泛的工作电压范围,适用于多种电源环境。
  5. 超小尺寸封装,便于在紧凑型设计中使用。
  6. 具备优秀的热稳定性,在高温环境下仍能保持正常运行。
  7. 符合 RoHS 标准,环保且易于焊接。

应用

STD16NE06LT4 广泛用于以下领域:
  1. 继电器驱动电路。
  2. LED 和灯泡驱动。
  3. 直流小型电机控制。
  4. 打印机和扫描仪中的步进电机驱动。
  5. 各种工业自动化设备的开关控制。
  6. 家用电器中的负载切换。
  7. 照明系统调光与调色控制。
  其强大的驱动能力和可靠性使其成为众多高功率应用场景的理想选择。

替代型号

STD16NF06LT4
  ULN2003
  ULN2803

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STD16NE06LT4参数

  • 制造商STMicroelectronics
  • 晶体管极性N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压60 V
  • 闸/源击穿电压+/- 20 V
  • 漏极连续电流16 A
  • 电阻汲极/源极 RDS(导通)0.06 Ohms
  • 配置Single
  • 最大工作温度+ 175 C
  • 安装风格SMD/SMT
  • 封装 / 箱体TO-252
  • 封装Reel
  • 下降时间25 ns
  • 最小工作温度- 55 C
  • 功率耗散40 W
  • 上升时间45 ns
  • 工厂包装数量2500