STD16N10LT4 时间：2025/6/26 12:18:02 阅读：21

STD16N10LT4 是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用 TOLL 封装，具有较低的导通电阻和较高的电流处理能力，适用于各种开关电源、电机驱动以及负载切换等应用场合。
　　该 MOSFET 的设计目标是实现高效能和高可靠性，在高频开关条件下表现出色，同时能够承受较高的电压应力。

参数

最大漏源电压：100V
　　连续漏极电流：16A
　　导通电阻（典型值）：2.5mΩ
　　栅极电荷（典型值）：89nC
　　输入电容（典型值）：3180pF
　　工作结温范围：-55℃ 至 175℃
　　封装类型：TOLL

特性

STD16N10LT4 具有以下关键特性：
　　1. 极低的导通电阻 (Rds(on)) 确保了更低的传导损耗，从而提高系统效率。
　　2. 较高的雪崩能量能力增强了其在异常条件下的鲁棒性。
　　3. 高速开关性能使其非常适合高频应用。
　　4. 经过优化的热阻确保了更好的散热表现。
　　5. 符合 RoHS 标准，环保且无铅。
　　6. 良好的动态性能和稳定性，支持复杂电路设计需求。
　　7. 支持高电流密度，减少对外部散热器的需求。
　　8. 可靠的电气隔离性能，适用于多种工业级应用环境。

应用

STD16N10LT4 广泛应用于以下领域：
　　1. 开关模式电源 (SMPS) 中的主开关管。
　　2. 直流/直流转换器中的同步整流管。
　　3. 电机驱动电路中的功率级元件。
　　4. 太阳能逆变器中的功率开关。
　　5. 工业自动化设备中的负载切换。
　　6. 电动车窗、座椅调节等汽车电子系统的功率控制。
　　7. 各类需要高效功率转换的便携式电子产品中。
　　其高性能和高可靠性使得它成为许多高要求应用的理想选择。