STD13NM60N 时间：2025/7/23 8:31:59 阅读：6

STD13NM60N是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的N沟道增强型功率MOSFET，主要用于高电压和高电流的应用场景，如开关电源、电机控制、照明系统以及DC-DC转换器等。该器件采用了先进的技术，具有较低的导通电阻和较高的效率，适用于需要高性能功率管理的电路设计。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：600V
　　连续漏极电流（Id）@25°C：13A
　　漏极电流（Id）@100°C：8.5A
　　导通电阻（Rds(on)）：0.45Ω @ Vgs = 10V
　　栅极阈值电压（Vgs(th)）：2V~4V
　　最大功耗（Ptot）：125W
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装类型：TO-220、D2PAK

特性

STD13NM60N具备多项显著的技术特性，使其在多种电力电子应用中表现出色。首先，其高耐压能力（600V）使得该MOSFET能够适应高压电源转换的需求，例如在PFC（功率因数校正）电路和开关电源中。其次，较低的导通电阻（Rds(on)）为0.45Ω，有助于减少导通损耗，提高整体系统效率。
　　此外，该器件具备良好的热稳定性和可靠性，能够在较高的工作温度下稳定运行，最大工作温度可达150°C。其TO-220和D2PAK封装形式不仅提供了良好的散热性能，还便于在印刷电路板（PCB）上安装和焊接。
　　该MOSFET的栅极阈值电压范围为2V至4V，使其能够兼容多种控制电路的驱动电压水平，例如微控制器或PWM控制器的输出信号。同时，其快速开关特性有助于减少开关损耗，在高频开关应用中表现优异。
　　另外，STD13NM60N内置了反向二极管（体二极管），可以用于处理感性负载带来的反向电流，减少电路设计的复杂性，并提升系统的稳定性。

应用

STD13NM60N广泛应用于各种电力电子设备中，包括但不限于以下领域：
　　1. **开关电源（SMPS）**：作为主开关元件，用于AC-DC转换，提供高效的能量转换。
　　2. **电机控制**：在无刷直流电机驱动器或变频器中，用于控制电机的速度和方向。
　　3. **照明系统**：用于LED驱动器、电子镇流器等照明控制电路。
　　4. **DC-DC转换器**：在升降压（Buck-Boost）或反激式（Flyback）拓扑结构中实现高效的直流电压转换。
　　5. **工业自动化设备**：如PLC（可编程逻辑控制器）和伺服驱动器，用于控制高功率负载的开关。
　　6. **家电控制**：如微波炉、洗衣机等家用电器中的功率控制模块。