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STD13N60M2 发布时间 时间:2024/8/19 14:44:36 查看 阅读:161

这些器件是使用新一代MDmesh?技术开发的N沟道功率MOSFET:MDmesh II Plus?低Qg。这些革命性的功率MOSFET将垂直结构与公司的条形布局相结合,产生了世界上最低的导通电阻和栅极电荷之一。因此,它们适用于要求最苛刻的高效转换器。

特征说明

极低的栅极电荷
  与上一代相比,RDS(on)x面积更低
  MDmesh?II技术
  低栅极输入电阻
  100%雪崩测试

技术参数

通道数:1
  针脚数:3
  漏源极电阻:0.38Ω
  耗散功率:110 W
  阈值电压:3 V
  漏源极电压(Vds):600 V
  漏源击穿电压:650 V
  上升时间:10 ns
  输入电容(Ciss):580pF 100V(Vds)
  额定功率(Max):110 W
  下降时间:9.5 ns
  工作温度(Max):150℃
  工作温度(Min):-55℃
  耗散功率(Max):110W(Tc)

封装参数

安装方式:Surface Mount
  引脚数:3
  封装:TO-252-3

外形尺寸

长度:6.6 mm
  宽度:6.2 mm
  高度:2.4 mm
  封装:TO-252-3

符合标准

RoHS标准:RoHS Compliant
  含铅标准:Lead Free

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STD13N60M2参数

  • 现有数量11,847现货
  • 价格1 : ¥16.54000剪切带(CT)2,500 : ¥7.55021卷带(TR)
  • 系列MDmesh? II Plus
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)600 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)11A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)380 毫欧 @ 5.5A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)4V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)17 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±25V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)580 pF @ 100 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)110W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装DPAK
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63