时间：2024/8/19 14:44:36
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这些器件是使用新一代MDmesh?技术开发的N沟道功率MOSFET：MDmesh II Plus?低Qg。这些革命性的功率MOSFET将垂直结构与公司的条形布局相结合，产生了世界上最低的导通电阻和栅极电荷之一。因此，它们适用于要求最苛刻的高效转换器。
极低的栅极电荷
与上一代相比，RDS（on）x面积更低
MDmesh?II技术
低栅极输入电阻
100%雪崩测试
通道数：1
针脚数：3
漏源极电阻：0.38Ω
耗散功率：110 W
阈值电压：3 V
漏源极电压(Vds)：600 V
漏源击穿电压：650 V
上升时间：10 ns
输入电容(Ciss)：580pF 100V(Vds)
额定功率(Max)：110 W
下降时间：9.5 ns
工作温度(Max)：150℃
工作温度(Min)：-55℃
耗散功率(Max)：110W(Tc)
安装方式：Surface Mount
引脚数：3
封装：TO-252-3
长度：6.6 mm
宽度：6.2 mm
高度：2.4 mm
封装：TO-252-3
RoHS标准：RoHS Compliant
含铅标准：Lead Free
