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STD12NF06T4 发布时间 时间:2025/5/24 14:20:24 查看 阅读:14

STD12NF06T4是一款由意法半导体(STMicroelectronics)生产的N沟道增强型功率MOSFET。该器件采用TO-220封装,具有低导通电阻和高开关速度的特点,广泛应用于各类电源管理电路、电机驱动以及开关电源等场景中。
  该型号的STD12NF06T4基于成熟的DMOS技术制造,能够在高频工作条件下提供高效的性能表现,同时具备良好的热稳定性和可靠性。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:12A
  导通电阻:30mΩ
  栅极电荷:45nC
  总功耗:125W
  工作温度范围:-55℃ to +150℃

特性

STD12NF06T4的核心优势在于其低导通电阻和高效率的表现。它采用了先进的工艺设计以减少功率损耗,适合高频开关应用。此外,该器件还具有出色的热稳定性,确保在极端环境下的可靠运行。
  主要特点包括:
  1. 低导通电阻(30mΩ),能够显著降低功率损耗。
  2. 高速开关性能,支持高频操作。
  3. 热增强型TO-220封装,提升了散热能力。
  4. 宽泛的工作温度范围(-55℃到+150℃),适应多种应用场景。
  5. 内置ESD保护功能,提高了整体系统的抗干扰能力。

应用

STD12NF06T4适用于多种工业及消费电子领域,特别是在需要高效功率转换的应用中。典型应用包括但不限于:
  1. 开关模式电源(SMPS)
  2. 直流-直流转换器
  3. 电池管理系统
  4. 电机驱动控制
  5. 逆变器和不间断电源(UPS)
  6. 各类负载开关和保护电路
  由于其优秀的电气特性和可靠性,这款MOSFET特别适合对效率和散热要求较高的场合。

替代型号

IRFZ44N
  STP12NF06L
  FDP12U06

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STD12NF06T4参数

  • 其它有关文件STD12NF06T4 View All Specifications
  • 标准包装1
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列STripFET™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)60V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C12A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C100 毫欧 @ 6A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs12nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds315pF @ 25V
  • 功率 - 最大30W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装D-Pak
  • 包装Digi-Reel?
  • 其它名称497-3154-6