时间：2025/4/29 18:22:43
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STD12N50M2 是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的高压功率 N 沃特（N-Channel）MOSFET。该器件采用 TO-247 封装，适用于高电压和高电流应用场合。其耐压值为 500V，连续漏极电流为 12A，具有低导通电阻和优异的开关性能，适合用于工业电源、电机驱动器、开关电源等领域。
STD12N50M2 的设计优化了栅极电荷与导通电阻之间的权衡，从而提高了系统的效率和可靠性。它还具备快速开关能力以及增强的雪崩击穿保护功能，确保在异常条件下也能稳定运行。
最大漏源电压：500V
连续漏极电流：12A
导通电阻（Rds(on)）：3.6Ω（典型值，Vgs=10V时）
总栅极电荷：78nC
输入电容：1190pF
工作结温范围：-55℃至+150℃
封装形式：TO-247
STD12N50M2 具有以下显著特点：
1. 高耐压能力（500V），适用于高电压环境下的电力电子设备。
2. 低导通电阻（Rds(on) = 3.6Ω 典型值），能够有效减少导通损耗，提高整体效率。
3. 快速开关性能，降低开关损耗并支持高频操作。
4. 强大的雪崩能量承受能力，确保在过载或短路情况下仍能安全工作。
5. 工作温度范围宽广，适应极端环境条件。
6. 稳定性高，使用寿命长，可靠性强，满足严苛的工业应用需求。
STD12N50M2 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的功率转换级。
2. 工业电机驱动和控制电路。
3. 太阳能逆变器和其他可再生能源系统。
4. 蓄电池充电器和不间断电源（UPS）。
5. 高压 DC-DC 转换器。
6. 电磁阀和继电器驱动。
7. 各类需要高电压、大电流处理能力的电力电子设备。
STD12NM50, IRFP260N, FDP15N50C
