时间：2025/8/16 12:51:59
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STD11NM60N 是由意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款高性能N沟道增强型功率MOSFET。该器件采用先进的StripFET?技术制造，具有低导通电阻、高开关速度和良好的热性能，适用于高效率电源转换应用。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（Vds）：600V
最大连续漏极电流（Id）：11A
导通电阻（Rds(on)）：0.45Ω @ Vgs=10V
栅极电荷（Qg）：38nC
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装形式：TO-220、D2PAK
STD11NM60N MOSFET采用先进的StripFET技术，显著降低了导通电阻，从而减少了导通损耗并提高了能效。其600V的高击穿电压使其适用于高电压应用，同时具备良好的雪崩能量承受能力，增强了器件的可靠性。
该器件的栅极电荷仅为38nC，具有较快的开关速度，降低了开关损耗，适用于高频开关电源设计。此外，其低热阻封装提高了热性能，有助于在高功率密度设计中保持稳定运行。
该MOSFET具备较高的耐用性和稳定性，能够在恶劣的工作环境下长时间运行。其封装形式包括TO-220和D2PAK，便于安装和散热管理，适用于多种电源拓扑结构，如降压、升压和半桥变换器。
该器件广泛应用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机控制、照明系统、工业自动化设备以及消费类电子产品中的功率控制部分。其高效率和高可靠性的特点使其特别适用于需要高功率密度和低损耗的电源设计。
STP11NM60ND, FQA11N60C, FDPF11N60
