时间：2025/7/23 12:39:07
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STD11N50M2是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的N沟道增强型功率MOSFET。该器件专为高效率电源转换系统设计，广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制以及负载开关等场景。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏极电流（ID）：11A
最大漏源电压（VDS）：500V
导通电阻（RDS(on)）：0.48Ω @ VGS = 10V
栅极阈值电压（VGS(th)）：2V ~ 4V
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：TO-220、D2PAK等
STD11N50M2具备低导通电阻和高耐压能力，使其在高电压应用中具有出色的能效表现。该器件采用了先进的平面工艺技术，具有良好的热稳定性和可靠性。
其高耐压特性允许在500V的漏源电压下稳定工作，适用于高压电源系统设计。导通电阻仅为0.48Ω，有效降低导通损耗，提高系统效率。
此外，该MOSFET具有快速开关特性，可减少开关过程中的能量损耗，适用于高频开关应用。其封装形式多样，便于在不同应用场景中灵活使用。
内置的体二极管能够提供反向电流保护，增强了电路的稳定性。该器件符合RoHS环保标准，适用于环保型电子产品设计。
STD11N50M2常用于各类功率电子设备中，如开关电源（SMPS）、AC-DC适配器、DC-DC转换器、LED照明驱动器以及电机驱动电路。
在家电领域，该MOSFET可用于变频空调、洗衣机和电磁炉等设备的功率控制部分。
在工业控制领域，该器件适用于PLC（可编程逻辑控制器）、工业电源和自动化设备中的功率开关。
此外，该MOSFET还可用于UPS（不间断电源）系统、太阳能逆变器和电池管理系统中。
STD12N50M2, STF11N50M2, STP11N50M2
