时间：2025/7/23 0:02:20
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STD110N8F6是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的N沟道增强型功率MOSFET，适用于高电流、高效率的功率应用。该器件采用先进的沟槽技术，具有较低的导通电阻（RDS(on)），可在高频率下工作，适合用于电源转换器、马达控制和电池管理系统等场景。STD110N8F6的封装形式为PowerFLAT 5x6 HV，具备良好的热管理和空间利用率。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：80V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：110A
导通电阻（RDS(on)）：6.5mΩ（在VGS=10V时）
功率耗散（PD）：150W
工作温度范围：-55°C至175°C
封装：PowerFLAT 5x6 HV
STD110N8F6采用了先进的沟槽技术，确保了低导通电阻，从而减少了导通损耗，提高了效率。其导通电阻在VGS=10V时仅为6.5mΩ，这使得在大电流应用中可以保持较低的功耗。
此外，该MOSFET具有高电流承载能力，最大连续漏极电流可达110A，适用于需要高功率输出的应用，如DC-DC转换器、负载开关和马达驱动器。
该器件的封装形式为PowerFLAT 5x6 HV，这种封装设计不仅体积小巧，还具备优异的热管理性能，有助于提高系统的可靠性和稳定性。
由于其栅极驱动电压范围较宽（±20V），STD110N8F6可以在多种控制电路中使用，兼容性强。此外，它的快速开关特性使其适用于高频操作环境，有助于减小外部滤波元件的尺寸，提高系统的响应速度。
STD110N8F6还具备良好的抗雪崩能力和过热保护特性，增强了器件在严苛工作环境下的耐用性。
STD110N8F6广泛应用于各种功率电子系统中，包括但不限于：电源管理模块、DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、马达控制电路、电池管理系统（BMS）以及工业自动化设备中的功率控制部分。
由于其高效率和低导通电阻，该MOSFET特别适合用于需要高电流和低损耗的电源转换系统，如服务器电源、通信设备电源、UPS不间断电源等。
在新能源领域，STD110N8F6也可用于电动车控制系统、储能系统和太阳能逆变器中，提供稳定可靠的功率控制解决方案。
STP110N8F7AG, IPP110N8N3G, IRF110N8S3-7PP
