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STD10PF06-1 发布时间 时间:2025/5/28 20:41:14 查看 阅读:10

STD10PF06-1 是一款由 STMicroelectronics 生产的 NPN 型硅功率晶体管。该器件设计用于需要高开关速度和低饱和压降的应用,具有出色的电气性能和可靠性。其封装形式为 TO-220,能够承受较高的电流和电压,适用于各种工业和消费类电子设备中的功率放大和开关功能。
  该晶体管通常被用作开关元件或放大器元件,在电机控制、电源管理、逆变器等领域有广泛应用。

参数

集电极-发射极击穿电压:60V
  集电极最大电流:10A
  直流电流增益(hFE):最小值40,典型值100
  集电极-发射极饱和电压:1.2V
  存储温度范围:-55℃ 至 +150℃
  功耗:100W

特性

STD10PF06-1 拥有以下显著特性:
  1. 高电流承载能力,适合大功率应用。
  2. 较低的饱和压降,有助于减少功率损耗并提高效率。
  3. 快速开关能力,适用于高频电路。
  4. 良好的热稳定性,能够在较宽的温度范围内正常工作。
  5. 高可靠性设计,确保长期稳定运行。
  6. 符合 RoHS 标准,环保且适合现代电子产品需求。

应用

STD10PF06-1 的主要应用领域包括:
  1. 开关电源和 DC-DC 转换器。
  2. 电机驱动和控制电路。
  3. 继电器驱动和负载切换。
  4. 照明系统中的 LED 驱动电路。
  5. 各种工业自动化设备中的功率管理模块。
  6. 家用电器中的功率控制部分。

替代型号

STD11PF06, STD12PF06, BD139

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STD10PF06-1参数

  • 标准包装75
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列STripFET™ II
  • FET 型MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)60V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C10A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C200 毫欧 @ 5A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs21nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds850pF @ 25V
  • 功率 - 最大40W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-251-3 长引线,IPak,TO-251AB
  • 供应商设备封装I-Pak
  • 包装管件
  • 其它名称497-12781-5STD10PF06-1-ND