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STD10NM65N 发布时间 时间:2025/7/22 8:01:30 查看 阅读:5

STD10NM65N 是意法半导体(STMicroelectronics)生产的一款N沟道增强型功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机控制、照明系统以及各种需要高效率功率开关的场合。该器件采用了先进的高压MOSFET制造工艺,具有低导通电阻、高耐压和优良的热性能。

参数

类型:N沟道MOSFET
  最大漏极电流(ID):10A
  最大漏源电压(VDS):650V
  最大栅源电压(VGS):±20V
  导通电阻(RDS(on)):最大值0.65Ω(在VGS=10V时)
  最大耗散功率(PD):40W
  工作温度范围:-55°C ~ +150°C
  封装形式:TO-220、D2PAK等

特性

STD10NM65N 具备多项优异的电气和热性能特点,首先其650V的漏源击穿电压非常适合高压电源应用,如AC/DC电源适配器、PFC(功率因数校正)电路和工业电源系统。
  其次,该MOSFET具有较低的导通电阻(RDS(on))值,通常在VGS=10V时可低至0.6Ω以下,这有助于减少导通损耗,提高系统效率并降低温升。
  此外,该器件具备良好的热稳定性和高功率耗散能力,其TO-220封装结构可有效散热,适用于连续工作在较高负载条件下的应用。
  该MOSFET还具备快速开关特性,能够适应高频开关电源设计,从而减小外部电感和电容的尺寸,提高整体系统功率密度。
  同时,该器件具有较高的抗雪崩能力和良好的短路耐受性,能够在恶劣的工作环境下保持稳定运行,提升系统的可靠性。

应用

STD10NM65N 广泛应用于多种功率电子系统中,例如:
  1. 开关电源(SMPS)中的主开关或PFC电路,用于实现高效能的交流到直流转换;
  2. 电机驱动和控制电路,如无刷直流电机驱动器、变频器等;
  3. LED照明驱动电源,满足高效率、小体积的设计需求;
  4. 太阳能逆变器和储能系统中的DC-DC变换器部分;
  5. 工业自动化设备中的电源模块和负载开关控制;
  6. 家用电器如空调、洗衣机等的变频控制电路中。

替代型号

STF10NM65N, STP10NM65N, FQA10N65C, IRFBC40

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STD10NM65N参数

  • 其它有关文件STD10NM65N View All Specifications
  • 标准包装1
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列MDmesh™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)650V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C9A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C480 毫欧 @ 4.5A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs25nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds850pF @ 50V
  • 功率 - 最大90W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装D-Pak
  • 包装Digi-Reel?
  • 其它名称497-7957-6