STD10NM65N 是意法半导体(STMicroelectronics)生产的一款N沟道增强型功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机控制、照明系统以及各种需要高效率功率开关的场合。该器件采用了先进的高压MOSFET制造工艺,具有低导通电阻、高耐压和优良的热性能。
类型:N沟道MOSFET
最大漏极电流(ID):10A
最大漏源电压(VDS):650V
最大栅源电压(VGS):±20V
导通电阻(RDS(on)):最大值0.65Ω(在VGS=10V时)
最大耗散功率(PD):40W
工作温度范围:-55°C ~ +150°C
封装形式:TO-220、D2PAK等
STD10NM65N 具备多项优异的电气和热性能特点,首先其650V的漏源击穿电压非常适合高压电源应用,如AC/DC电源适配器、PFC(功率因数校正)电路和工业电源系统。
其次,该MOSFET具有较低的导通电阻(RDS(on))值,通常在VGS=10V时可低至0.6Ω以下,这有助于减少导通损耗,提高系统效率并降低温升。
此外,该器件具备良好的热稳定性和高功率耗散能力,其TO-220封装结构可有效散热,适用于连续工作在较高负载条件下的应用。
该MOSFET还具备快速开关特性,能够适应高频开关电源设计,从而减小外部电感和电容的尺寸,提高整体系统功率密度。
同时,该器件具有较高的抗雪崩能力和良好的短路耐受性,能够在恶劣的工作环境下保持稳定运行,提升系统的可靠性。
STD10NM65N 广泛应用于多种功率电子系统中,例如:
1. 开关电源(SMPS)中的主开关或PFC电路,用于实现高效能的交流到直流转换;
2. 电机驱动和控制电路,如无刷直流电机驱动器、变频器等;
3. LED照明驱动电源,满足高效率、小体积的设计需求;
4. 太阳能逆变器和储能系统中的DC-DC变换器部分;
5. 工业自动化设备中的电源模块和负载开关控制;
6. 家用电器如空调、洗衣机等的变频控制电路中。
STF10NM65N, STP10NM65N, FQA10N65C, IRFBC40