STC810JEUR-T 是一款由 STMicroelectronics(意法半导体)生产的高性能功率晶体管,属于 STripFET F系列。该器件采用先进的沟槽式 MOSFET 技术制造,具有低导通电阻和高效率的特点,广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC 转换器以及其他需要高效能功率管理的场景。
STC810JEUR-T 的封装形式为 TO-220FP,这种封装形式能够有效提升散热性能,适合中高功率应用环境。
最大漏源电压(Vds):60V
最大栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):9.4A
脉冲漏极电流(Ip):35A
导通电阻(Rds(on)):15mΩ
栅极电荷(Qg):39nC
总功耗(Ptot):75W
工作温度范围(Ta):-55℃ 至 +175℃
STC810JEUR-T 的主要特性包括:
1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),有助于减少传导损耗并提高整体系统效率。
2. 高速开关能力,得益于其优化的栅极电荷设计,可降低开关损耗。
3. 较宽的工作温度范围,适应各种恶劣环境下的应用需求。
4. 内置反向二极管,支持续流功能,简化电路设计。
5. 符合 RoHS 标准,环保且易于集成到现代电子设备中。
6. 具备较高的雪崩能力和 ESD 防护性能,增强了器件的可靠性。
STC810JEUR-T 常用于以下应用场景:
1. 开关模式电源(SMPS) 和 DC-DC 转换器中的功率开关。
2. 电机驱动和控制,如步进电机、无刷直流电机等。
3. 各类工业自动化设备中的负载切换。
4. 照明系统,例如 LED 驱动器和高压钠灯镇流器。
5. 汽车电子领域中的继电器替代和电池管理。
6. 家用电器中的功率控制模块,如空调压缩机驱动和洗衣机泵控制。
STC810J-EUR, IRFZ44N, AO3400A