STC809LEUR-T 时间：2025/5/21 14:26:01 阅读：16

STC809LEUR-T 是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款高效能、低功耗的功率MOSFET，采用THT封装形式。该器件适用于需要高电流处理能力及快速开关特性的应用场合，例如电源适配器、DC-DC转换器、电机驱动以及各类开关电源解决方案。
　　STC809LEUR-T 的设计基于先进的制造工艺，具备较低的导通电阻和良好的热性能，能够显著提升系统的效率和可靠性。

参数

型号：STC809LEUR-T
　　类型：N沟道功率MOSFET
　　Vds（漏源极电压）：60V
　　Rds(on)（导通电阻）：125mΩ（典型值，@Vgs=10V）
　　Id（连续漏极电流）：9A
　　Ptot（总功耗）：37W
　　封装：TO-220AC
　　f（工作频率）：最高支持数百kHz
　　Vgs（栅源电压）：±20V
　　Tj（结温范围）：-55℃至+175℃

特性

STC809LEUR-T 具有以下显著特性：
　　1. 超低导通电阻（Rds(on)），有助于降低传导损耗，从而提高系统效率。
　　2. 高雪崩能量能力，增强了器件在异常条件下的鲁棒性。
　　3. 快速开关速度，适合高频应用，可减少开关损耗。
　　4. 热稳定性良好，能够在极端温度条件下可靠运行。
　　5. 内置ESD保护功能，提高了抗静电能力，简化了设计过程。
　　6. 符合RoHS标准，环保且满足国际法规要求。
　　这些特性使 STC809LEUR-T 成为多种工业及消费类电子产品的理想选择。

应用

STC809LEUR-T 广泛应用于以下领域：
　　1. 开关电源（SMPS）设计，包括适配器、充电器等。
　　2. DC-DC转换器，用于电压调节或电池管理。
　　3. 电机驱动控制，适用于家用电器、电动工具中的小型电机。
　　4. 工业自动化设备中的负载切换。
　　5. 汽车电子辅助系统中的电源管理模块。
　　由于其出色的电气性能和可靠性，这款MOSFET特别适合需要高性能与高效率结合的应用场景。