STC5NF20V 时间：2025/7/22 8:24:50 阅读：14

STC5NF20V 是一款由 STMicroelectronics 生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件设计用于高效率、高频率的功率转换应用，具备较低的导通电阻和优良的热性能。STC5NF20V 封装形式通常为 TO-220 或 D2PAK，适用于多种工业与消费类电源管理系统。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压（Vds）：200V
　　漏极电流（Id）：5A（连续）
　　导通电阻（Rds(on)）：0.65Ω @ Vgs=10V
　　栅极电压（Vgs）：±20V
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　功率耗散（Ptot）：75W
　　封装形式：TO-220 / D2PAK

特性

STC5NF20V 的主要特性包括其低导通电阻，有助于降低导通损耗，提高系统效率。该器件具有良好的热稳定性和抗过载能力，适合在高温环境下工作。此外，STC5NF20V 的快速开关特性使其适用于高频开关电源和 DC-DC 转换器。其栅极驱动电压范围宽泛，支持 10V 标准驱动，简化了驱动电路的设计。
　　该 MOSFET 还具备较高的雪崩能量承受能力，增强了在突发负载变化或电感反冲情况下的可靠性。封装设计提供了良好的散热性能，便于安装在散热器上以进一步提升功率处理能力。此外，STC5NF20V 具有良好的长期稳定性，适用于要求高可靠性的工业控制和电源系统。

应用

STC5NF20V 主要应用于各类电源管理系统，包括开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、电机驱动器、电池充电器、逆变器、LED 驱动器以及工业自动化设备中的功率控制模块。其高耐压和中等电流能力使其在中小功率电源系统中表现出色，广泛用于家电、汽车电子和通信设备等领域。
　　此外，该器件也适用于负载开关、功率因数校正（PFC）电路、桥式拓扑结构中的上桥臂/下桥臂开关，以及太阳能逆变器中的功率转换部分。由于其快速开关特性，可有效降低开关损耗，提高整体系统效率。