STC3ME30-T1 时间：2025/5/27 9:31:39 阅读：10

STC3ME30-T1 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）制造的高性能功率晶体管，主要应用于开关电源、电机驱动和逆变器等场景。该器件采用了先进的 Trench MOSFET 技术，具有较低的导通电阻和较高的电流处理能力，能够显著提升系统的效率和可靠性。
　　STC3ME30-T1 的封装形式为 TO-220，便于散热设计，并且其耐压范围适合多种工业应用场合。此外，该产品符合 RoHS 标准，确保环保与合规性。

参数

类型：N-Channel MOSFET
　　最大漏源电压 VDS：30V
　　最大连续漏极电流 ID：48A
　　栅极阈值电压 VGS(th)：2.5V 至 4.5V
　　导通电阻 RDS(on)（在 VGS=10V 时）：1.6mΩ
　　总功耗 PD：170W
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C

特性

STC3ME30-T1 具备以下关键特性：
　　1. 极低的导通电阻（RDS(on)），有助于减少传导损耗并提高系统效率。
　　2. 高电流承载能力，支持高达 48A 的连续漏极电流，适用于高功率应用场景。
　　3. 紧凑的 TO-220 封装设计，简化了 PCB 布局和散热管理。
　　4. 较宽的工作温度范围，适应恶劣环境下的稳定运行。
　　5. 快速开关性能，可降低开关损耗，从而优化高频应用中的表现。
　　6. 符合 RoHS 标准，体现了对环境保护的关注。

应用

STC3ME30-T1 广泛应用于以下领域：
　　1. 开关电源（SMPS）和 DC-DC 转换器中作为主开关元件。
　　2. 工业电机驱动控制电路中的功率级组件。
　　3. 电动车和混合动力汽车中的逆变器模块。
　　4. 太阳能逆变器及其他可再生能源转换设备。
　　5. 各种需要大电流和高效能量传输的应用场景。