类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：128V
　　漏极电流（Id）：1A
　　导通电阻（Rds(on)）：0.3Ω
　　栅极阈值电压（Vgs(th)）：2V至4V
　　最大功率耗散（Pd）：50W
　　工作温度范围：-55°C至+175°C

STC128 1A 是一款高性能的N沟道MOSFET，具有较低的导通电阻，能够在高电压和高电流条件下提供高效的功率转换。其高电流承载能力和良好的热稳定性使其适用于需要频繁开关的高功率应用。此外，该器件具备快速开关特性，有助于减少开关损耗，提高整体系统的能效。该MOSFET的封装设计优化了散热性能，确保在高负载条件下也能保持较低的工作温度，从而延长器件寿命并提高系统可靠性。
　　STC128 1A 的栅极驱动特性较为简单，通常只需要简单的驱动电路即可实现高效控制。该器件的阈值电压范围适中，使得其在常见的控制电压下（如3.3V或5V）都能可靠地导通和关断。此外，STC128 1A 还具备较强的抗静电能力，增强了其在复杂电磁环境中的稳定性。这些特性使得STC128 1A 成为工业自动化、汽车电子、消费类电源管理等应用中的理想选择。

STC128 1A 主要应用于各种需要高效功率控制的场景，如直流电机驱动、电源转换器（DC-DC Converter）、开关电源（SMPS）、负载开关、电池管理系统以及LED照明驱动电路。其高耐压和良好的导通特性使其适用于多种工业控制和消费类电子产品中的功率管理模块。此外，该器件也常用于逆变器、UPS（不间断电源）以及汽车电子系统中的功率控制部分。

STN4N128K, STP1N120, IRF840