时间：2025/8/13 23:19:36
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STBS0B8是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的N沟道增强型功率MOSFET。这款器件设计用于高效率、高功率密度的应用，具有低导通电阻（RDS(on)）、高电流承载能力和快速开关特性。STBS0B8采用先进的功率MOSFET技术，适用于各种电源管理、电机控制和功率转换系统。
类型：N沟道
漏源电压（VDS）：80V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：160A（在25°C）
导通电阻（RDS(on)）：最大4.5mΩ（典型值更低）
功率耗散（PD）：300W
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装类型：TO-263（D2PAK）
STBS0B8具有多个关键特性，使其适用于高性能功率电子系统。首先，其极低的导通电阻可显著降低导通损耗，提高系统效率。其次，该器件能够承受高电流和高温，具备良好的热稳定性和可靠性。此外，STBS0B8的栅极电荷（Qg）较低，有助于提高开关速度并减少开关损耗。该器件还具有良好的雪崩能量承受能力，可在高应力条件下提供额外的保护。由于其先进的封装技术，STBS0B8具备出色的散热性能，适合高功率密度设计。最后，该MOSFET具有良好的短路耐受能力，适用于电机驱动、DC-DC转换器和负载开关等应用。
STBS0B8的封装形式为TO-263（D2PAK），便于在PCB上安装并实现高效的散热管理。其广泛的工作温度范围也使其适用于工业级和汽车级应用环境。
STBS0B8适用于多种高功率应用场景，包括DC-DC转换器、同步整流器、电机驱动、电源管理系统、负载开关、电池供电设备和汽车电子系统。在汽车应用中，它可用于车载充电器、起停系统和电动助力转向系统等关键模块。此外，该器件也广泛应用于工业自动化、服务器电源、UPS（不间断电源）和能源管理系统等领域。
STB10N80K5, STB120N8F7, STB120N8F7AG, STB160N8F7
