STBK075 是意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款高性能碳化硅(SiC)功率模块,适用于高效率、高频率的功率转换应用。该模块采用先进的SiC MOSFET技术,具备更低的开关损耗和更高的工作频率能力,广泛应用于电动汽车(EV)充电系统、可再生能源系统(如太阳能逆变器)、工业电机驱动和高效能电源系统等领域。
类型:SiC MOSFET功率模块
最大漏极电流(ID):75 A
最大漏源电压(VDS):1200 V
导通电阻(RDS(on)):典型值 20 mΩ(根据具体驱动电压)
工作温度范围:-55°C 至 175°C
封装类型:双面散热(Double-Sided Cooling, DSC)或标准功率模块封装(如SiC D2PAK)
短路耐受能力:典型值 10 μs @ 150°C
热阻(Rth):具体值依散热设计而定,典型值低于 0.3°C/W
工作频率:支持高达 200 kHz 及以上
STBK075 的核心优势在于其基于碳化硅(SiC)的MOSFET技术,具备极低的导通和开关损耗,显著提升系统的整体能效。相比传统硅基IGBT模块,STBK075在高温下依然保持优异的性能表现,支持更高的工作温度和更紧凑的散热设计。
此外,该模块具备优异的短路耐受能力,增强了系统在异常工况下的稳定性和可靠性。其封装设计优化了热管理和电气性能,特别适用于高功率密度和高可靠性的应用场景。
STBK075 还具有良好的EMI(电磁干扰)特性,能够在高频工作下减少对外部电路的干扰,从而降低系统滤波器的设计复杂度和成本。模块的栅极驱动设计兼容标准12V至18V驱动电压,便于与现有驱动电路集成。
STBK075 广泛应用于需要高效率、高功率密度和高可靠性的电力电子系统中。例如,在电动汽车充电系统中,该模块可以显著提升充电效率和功率转换密度;在太阳能逆变器中,STBK075 的高频特性有助于减小磁性元件的体积和重量;在工业电机驱动和储能系统中,该模块支持更高效的能量转换和控制。
此外,STBK075 也适用于服务器电源、数据中心UPS系统、高频DC-DC转换器等高性能电源系统,能够有效提升系统效率并降低整体功耗。
CMF300D12A(Cree/Wolfspeed)、SCT3045KL(ROHM)、IMW120R030M1H(Infineon)