时间：2025/6/13 19:12:07
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STB9NK80Z是由意法半导体（STMicroelectronics）生产的一款N沟道MOSFET功率晶体管。该器件采用了先进的MDmesh技术，具有低导通电阻和高击穿电压的特点，适合用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动和负载切换等应用领域。
STB9NK80Z的设计旨在提供出色的效率和可靠性，同时其紧凑的封装形式使其成为空间受限设计的理想选择。
最大漏源电压：800V
连续漏极电流：9A
导通电阻：1.6Ω（典型值，在Vgs=10V时）
总功耗：230W
栅极电荷：45nC
输入电容：1300pF
结温范围：-55°C至+175°C
STB9NK80Z具有高击穿电压，能够承受高达800V的漏源电压，这使得它非常适合高压环境中的应用。
它的导通电阻非常低，仅为1.6Ω（在Vgs=10V时），从而降低了导通损耗并提高了系统效率。
此外，STB9NK80Z的栅极电荷较小，仅为45nC，有助于减少开关损耗，进一步提升效率。
该器件还具备良好的热稳定性，能够在高达+175°C的结温下可靠工作，适应恶劣的工作条件。
STB9NK80Z采用TO-220 FullPAK封装，这种封装形式不仅散热性能优越，而且便于安装和使用。
STB9NK80Z广泛应用于各种高压功率转换场景，包括但不限于开关电源（SMPS）、不间断电源（UPS）、工业电机控制、光伏逆变器以及各类负载切换电路。
由于其优异的电气特性和热稳定性，这款器件特别适合需要高效率和高可靠性的应用场景。
此外，STB9NK80Z也可用于汽车电子领域，例如电动车辆的DC-DC转换器或电池管理系统（BMS）。
