您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > STB9NK60Z-1

STB9NK60Z-1 发布时间 时间:2025/7/22 5:26:23 查看 阅读:9

STB9NK60Z-1 是一款由意法半导体(STMicroelectronics)推出的高电压功率MOSFET晶体管,采用先进的StripFET技术制造。该器件专为高效能开关应用设计,适用于高频率开关环境,具有较低的导通电阻和出色的热性能。STB9NK60Z-1的封装形式为TO-220,适用于各种电源管理和功率控制电路。

参数

类型:N沟道MOSFET
  最大漏源电压(Vds):600V
  最大连续漏极电流(Id):9A
  导通电阻(Rds(on)):0.85Ω @ Vgs=10V
  栅极电荷(Qg):38nC
  工作温度范围:-55°C ~ +150°C
  封装类型:TO-220

特性

STB9NK60Z-1 的核心优势在于其卓越的性能和可靠性。首先,该MOSFET具有较低的导通电阻(Rds(on))值,仅为0.85Ω,在高电流条件下仍能保持较低的功耗,从而提高系统效率。其次,该器件采用先进的StripFET技术,优化了电场分布,减少了开关损耗,提升了高频开关应用中的稳定性。此外,STB9NK60Z-1具备较高的耐压能力(最大600V),适用于多种高电压环境。其TO-220封装形式不仅便于安装和散热管理,而且在工业应用中广泛使用,具有良好的热稳定性和机械强度。最后,该MOSFET的栅极电荷较低(38nC),有助于实现更快的开关速度,从而进一步降低开关损耗。
  从热性能来看,STB9NK60Z-1能够在-55°C至+150°C的温度范围内稳定工作,确保在极端环境下仍能保持可靠运行。这使得该器件非常适合用于高温或恶劣工业环境中的电源管理系统。同时,其封装设计允许使用标准的散热片,便于热量的有效散出,提高整体系统的热稳定性。这些特性共同确保了STB9NK60Z-1在多种应用场景中的高性能表现。

应用

STB9NK60Z-1被广泛应用于各类高电压和高功率的电子系统中。典型应用包括开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、LED照明驱动电路、电机控制和逆变器系统等。在开关电源设计中,该MOSFET可用于主开关元件,实现高效的能量转换和较低的开关损耗。此外,由于其优异的导通性能和热管理能力,STB9NK60Z-1也常用于工业自动化设备中的功率控制电路,如伺服电机驱动器和工业变频器。在LED照明领域,该器件可用于高功率LED驱动器的电源调节电路,提供稳定的电流控制和高效的能量转换。由于其广泛的应用范围和出色的性能,STB9NK60Z-1在工业、消费电子和汽车电子等领域均有重要应用。

替代型号

STB12NK60Z, STP9NK60ZFP, FQA9N60C, IRFBC40

STB9NK60Z-1推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

STB9NK60Z-1资料 更多>

  • 型号
  • 描述
  • 品牌
  • 阅览下载