时间：2025/7/23 4:31:49
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STB95N4F3是意法半导体（STMicroelectronics）生产的一款N沟道功率MOSFET，专为高电流和高效率应用设计，广泛用于汽车电子、工业控制和电源管理等领域。该器件具有低导通电阻、高耐压和良好的热稳定性，能够承受较大的工作电流，适用于需要高可靠性的应用场景。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压(VDS)：40V
最大栅源电压(VGS)：±20V
最大连续漏极电流(ID)：80A（在Tc=25℃时）
导通电阻(RDS(on))：最大值4.5mΩ（典型值3.8mΩ）
功耗(Ptot)：180W
封装类型：TO-220
工作温度范围：-55℃至175℃
STB95N4F3具有极低的导通电阻，确保在高电流条件下仍能保持较低的功率损耗，从而提高系统效率。该器件采用了先进的沟槽式MOSFET技术，提供了卓越的热性能和电气性能。
其高电流承载能力和优异的热稳定性使其适用于如汽车启动电机、电动工具、电源转换器和负载开关等高要求的应用场景。此外，STB95N4F3具备良好的抗雪崩能力和过载保护能力，增强了器件在严苛环境下的可靠性。
封装方面，TO-220封装不仅提供了良好的散热性能，还便于安装和使用。该器件符合RoHS标准，适用于环保型电子产品设计。
STB95N4F3广泛应用于汽车电子系统，如电动助力转向系统（EPS）、起停系统和电动水泵等。此外，它还适用于工业控制设备、直流电机驱动、电池管理系统（BMS）以及高功率DC-DC转换器等场景。由于其优异的导通特性和高可靠性，该器件也非常适合用于高效率电源管理解决方案。
STP80NF55-08, IRF3710, FDP80N06, STB95N4F3-002R
