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STB95N3LLH6 发布时间 时间:2025/5/27 9:05:29 查看 阅读:9

STB95N3LLH6 是一款由 STMicroelectronics(意法半导体)制造的 N 沒尔功率晶体管,采用 MDAP6 封装。该器件专为高效率开关应用设计,适用于多种工业和消费类电子产品中的功率转换和电机驱动场景。
  STB95N3LLH6 属于 Trench POWER MOSFET 系列,具备低导通电阻、快速开关速度以及出色的热性能,能够有效降低功耗并提升系统性能。

参数

最大漏源电压:100V
  连续漏极电流:-3.7A
  导通电阻:80mΩ
  栅极电荷:4.6nC
  总电容:230pF
  工作温度范围:-55℃ to 175℃

特性

STB95N3LLH6 的主要特性包括以下几点:
  1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),在典型条件下可达到 80mΩ,从而减少传导损耗。
  2. 快速开关性能,具有较低的栅极电荷 (Qg),有助于实现高效的开关操作。
  3. 高雪崩能量能力,增强了器件在异常条件下的鲁棒性。
  4. 热稳定性强,能够在高达 175℃ 的结温下正常工作。
  5. 符合 RoHS 标准,环保且适合现代电子设计需求。
  6. MDAP6 封装形式提供良好的散热特性和电气连接可靠性。

应用

STB95N3LLH6 广泛应用于各种功率转换和控制场合,例如:
  1. 开关模式电源 (SMPS) 中的功率开关元件。
  2. 直流-直流 (DC-DC) 转换器中的同步整流或主开关。
  3. 电机驱动电路中的功率级组件。
  4. 工业自动化设备中的负载切换和保护。
  5. 消费类电子产品的充电器和适配器设计。
  6. LED 照明系统的恒流驱动器和调光控制器。

替代型号

STB95N3LLH5
  STB95N3L
  IRLB8743PBF

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STB95N3LLH6参数

  • 其它有关文件STB95N3LLH6 View All Specifications
  • 标准包装1
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列STripFET™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C80A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C4.2 毫欧 @ 40A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2.5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs24.5nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds2200pF @ 25V
  • 功率 - 最大70W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
  • 供应商设备封装D2PAK
  • 包装Digi-Reel?
  • 其它名称497-10022-6