STB95N3LLH6 是一款由 STMicroelectronics(意法半导体)制造的 N 沒尔功率晶体管,采用 MDAP6 封装。该器件专为高效率开关应用设计,适用于多种工业和消费类电子产品中的功率转换和电机驱动场景。
STB95N3LLH6 属于 Trench POWER MOSFET 系列,具备低导通电阻、快速开关速度以及出色的热性能,能够有效降低功耗并提升系统性能。
最大漏源电压:100V
连续漏极电流:-3.7A
导通电阻:80mΩ
栅极电荷:4.6nC
总电容:230pF
工作温度范围:-55℃ to 175℃
STB95N3LLH6 的主要特性包括以下几点:
1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),在典型条件下可达到 80mΩ,从而减少传导损耗。
2. 快速开关性能,具有较低的栅极电荷 (Qg),有助于实现高效的开关操作。
3. 高雪崩能量能力,增强了器件在异常条件下的鲁棒性。
4. 热稳定性强,能够在高达 175℃ 的结温下正常工作。
5. 符合 RoHS 标准,环保且适合现代电子设计需求。
6. MDAP6 封装形式提供良好的散热特性和电气连接可靠性。
STB95N3LLH6 广泛应用于各种功率转换和控制场合,例如:
1. 开关模式电源 (SMPS) 中的功率开关元件。
2. 直流-直流 (DC-DC) 转换器中的同步整流或主开关。
3. 电机驱动电路中的功率级组件。
4. 工业自动化设备中的负载切换和保护。
5. 消费类电子产品的充电器和适配器设计。
6. LED 照明系统的恒流驱动器和调光控制器。
STB95N3LLH5
STB95N3L
IRLB8743PBF