STB8NM60 时间：2025/7/22 8:01:53 阅读：17

STB8NM60是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理和功率转换领域。该器件采用先进的平面条形工艺制造，具有高耐压和低导通电阻的特点，适用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动器以及各种功率控制电路。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：600V
　　最大栅源电压（VGS）：±30V
　　最大漏极电流（ID）：8A
　　导通电阻（RDS(on)）：1.2Ω（典型值）
　　功率耗散（PD）：125W
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装形式：TO-220、D2PAK、TO-247等

特性

STB8NM60具有多项优异的电气和物理特性。首先，其高耐压能力（600V）使其适用于高电压环境下的功率开关应用。其次，该MOSFET的导通电阻较低，典型值为1.2Ω，能够在高电流条件下保持较低的导通损耗，从而提高系统效率。
　　此外，STB8NM60具备良好的热稳定性和较高的功率耗散能力（125W），使其在高功率密度应用中表现出色。器件的栅极驱动电压范围较宽（±30V），兼容多种驱动电路设计，提高了设计灵活性。
　　该MOSFET还具有快速开关特性，适合用于高频开关应用，如AC-DC电源、DC-DC转换器和功率因数校正（PFC）电路。同时，其封装形式多样（如TO-220、D2PAK和TO-247），便于根据具体应用选择合适的封装以优化散热性能和PCB布局。

应用

STB8NM60被广泛应用于各类功率电子系统中，特别是在需要高电压和中等电流能力的场合。常见应用包括开关电源（SMPS）、离线式AC-DC转换器、LED驱动电源、电机控制电路、逆变器和电池管理系统等。
　　在开关电源中，STB8NM60可用于主开关晶体管，实现高效的能量转换；在电机驱动系统中，它可以作为H桥的上桥或下桥开关，提供快速响应和稳定的控制性能；此外，在LED照明应用中，该器件可用于构建高效恒流驱动电路，满足高亮度LED对功率和散热的要求。
　　由于其优异的导通特性和热稳定性，STB8NM60也常用于工业自动化设备、家电控制模块以及电源适配器等产品中。