时间：2025/7/22 5:23:25
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STB8NA50 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高电压和高功率的应用。该器件具有高耐压能力和良好的导通性能，广泛应用于电源转换、马达控制和工业自动化设备中。
类型：N 沟道 MOSFET
漏源电压（Vds）：500 V
栅源电压（Vgs）：±30 V
漏极电流（Id）：8 A（连续）
工作温度范围：-55°C 至 150°C
导通电阻（Rds(on)）：典型值 1.2 Ω（最大 1.5 Ω）
封装类型：TO-220
功率耗散（Ptot）：50 W
STB8NA50 具备出色的导通性能和高电压耐受能力，能够适应严苛的工作环境。其导通电阻较低，有助于减少功率损耗，提高系统的整体效率。此外，该器件的封装设计（TO-220）具备良好的散热性能，适合用于高功率密度的电路设计。
在动态性能方面，STB8NA50 的开关速度快，能够满足高频应用的需求。其栅极电荷（Qg）较低，有助于减少开关损耗，同时提高系统的响应速度。
这款 MOSFET 还具备较高的可靠性，能够在极端温度条件下稳定工作。其工作温度范围为 -55°C 至 150°C，适合用于工业级和汽车级应用环境。
STB8NA50 主要应用于电源管理领域，包括开关电源（SMPS）、直流-直流转换器、电池充电器和逆变器。此外，它还广泛用于马达驱动器、工业自动化设备和家用电器的功率控制模块。在汽车电子领域，该器件可用于电动助力转向系统（EPS）和车载充电系统等场景。
STB8NA50 的替代型号包括 STB6NA50、STB12NA50 和 IRF840（由 Infineon 生产）。这些型号在电气特性和封装形式上相似，但在具体参数和性能上可能略有差异，使用时需根据实际需求进行匹配和验证。
