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STB8NA50 发布时间 时间:2025/7/22 5:23:25 查看 阅读:5

STB8NA50 是一款由 STMicroelectronics(意法半导体)生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于高电压和高功率的应用。该器件具有高耐压能力和良好的导通性能,广泛应用于电源转换、马达控制和工业自动化设备中。

参数

类型:N 沟道 MOSFET
  漏源电压(Vds):500 V
  栅源电压(Vgs):±30 V
  漏极电流(Id):8 A(连续)
  工作温度范围:-55°C 至 150°C
  导通电阻(Rds(on)):典型值 1.2 Ω(最大 1.5 Ω)
  封装类型:TO-220
  功率耗散(Ptot):50 W

特性

STB8NA50 具备出色的导通性能和高电压耐受能力,能够适应严苛的工作环境。其导通电阻较低,有助于减少功率损耗,提高系统的整体效率。此外,该器件的封装设计(TO-220)具备良好的散热性能,适合用于高功率密度的电路设计。
  在动态性能方面,STB8NA50 的开关速度快,能够满足高频应用的需求。其栅极电荷(Qg)较低,有助于减少开关损耗,同时提高系统的响应速度。
  这款 MOSFET 还具备较高的可靠性,能够在极端温度条件下稳定工作。其工作温度范围为 -55°C 至 150°C,适合用于工业级和汽车级应用环境。

应用

STB8NA50 主要应用于电源管理领域,包括开关电源(SMPS)、直流-直流转换器、电池充电器和逆变器。此外,它还广泛用于马达驱动器、工业自动化设备和家用电器的功率控制模块。在汽车电子领域,该器件可用于电动助力转向系统(EPS)和车载充电系统等场景。

替代型号

STB8NA50 的替代型号包括 STB6NA50、STB12NA50 和 IRF840(由 Infineon 生产)。这些型号在电气特性和封装形式上相似,但在具体参数和性能上可能略有差异,使用时需根据实际需求进行匹配和验证。

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