时间：2025/7/23 2:14:07
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STB85NS04Z-1 是意法半导体（STMicroelectronics）生产的一款高性能N沟道功率MOSFET，主要用于需要高效率和低导通损耗的电源管理系统中。该器件采用先进的技术，具有较低的导通电阻和较高的电流承载能力，适合用于开关电源、DC-DC转换器、电池管理系统以及电机控制等应用场景。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(Vds)：40V
栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：80A（Tc=25℃）
导通电阻(Rds(on))：最大5.3mΩ（Vgs=10V时）
封装类型：PowerFLAT 5x6
工作温度范围：-55℃至175℃
STB85NS04Z-1 具有非常低的导通电阻，这使得它在高电流应用中能够显著降低功率损耗，提高系统效率。其PowerFLAT 5x6封装设计不仅提供了良好的热管理性能，还支持紧凑的PCB布局设计，非常适合高密度电源模块的开发。
该MOSFET的栅极设计使其具有较高的抗静电能力，并且在高温环境下仍能保持稳定的性能。此外，STB85NS04Z-1在高频率开关应用中表现出色，能够有效减少开关损耗，提高整体系统性能。
器件内部采用了先进的沟槽式MOSFET结构，进一步优化了电流传导路径，降低了导通电阻并提高了器件的可靠性和耐用性。这种设计还使得器件在极端工作条件下（如高湿度或高温环境）仍能保持稳定的电气性能。
STB85NS04Z-1 通常用于高效率电源转换系统，例如DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、负载开关、电池充电管理电路以及工业自动化设备中的功率控制模块。此外，它也适用于电动工具、电动车辆（如电动滑板车、电动自行车）的电机驱动系统。
由于其出色的热性能和高电流承载能力，该MOSFET在需要高功率密度和高可靠性的汽车电子系统中也有广泛应用，例如车载充电器（OBC）、电池管理系统（BMS）以及48V轻混系统中的功率转换模块。
STB85N4F7AG-1, STB80N4F7AG-1, IPB80N04S4-07
