时间：2025/6/27 10:51:12
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STB80NF55-06T4是意法半导体（STMicroelectronics）生产的一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用TO-220封装，适用于需要高效开关和低导通电阻的应用场景。STB80NF55-06T4以其高电流承载能力和较低的导通电阻而著称，广泛应用于电源管理、电机驱动、负载切换以及各种工业控制领域。
最大漏源电压：55V
连续漏极电流：80A
导通电阻：3.6mΩ
栅极电荷：190nC
总功耗：150W
工作结温范围：-55℃至+175℃
STB80NF55-06T4具有以下显著特点：
1. 高电流处理能力，能够承受高达80A的连续漏极电流。
2. 低导通电阻设计，仅为3.6mΩ，有助于减少功率损耗并提高效率。
3. 快速开关速度，得益于其较小的栅极电荷（190nC），使得该器件在高频应用中表现出色。
4. 良好的热性能，可支持长时间稳定运行。
5. 宽泛的工作温度范围（-55℃至+175℃），适应多种恶劣环境下的应用需求。
STB80NF55-06T4因其卓越的性能被广泛应用于多个领域：
1. 开关电源（SMPS）设计中的主开关元件。
2. 各类电机驱动电路中的功率级组件。
3. 太阳能逆变器及不间断电源（UPS）系统中的关键功率转换元件。
4. 汽车电子设备中的负载切换与保护。
5. 工业自动化控制中的功率放大和调节功能。
STB80NF55-06T5
STB80NF55-07T4
STB80NF55-08T4
