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STB75NF75L 发布时间 时间:2025/5/22 12:28:32 查看 阅读:19

STB75NF75L 是一款由 STMicroelectronics(意法半导体)生产的 N 沤道 MOSFET 功率晶体管。该器件采用先进的制程工艺制造,具有低导通电阻和快速开关特性,适用于高效率功率转换应用。其封装形式为 TO-247,适合大功率场景。
  STB75NF75L 的主要特点是高雪崩能量能力、低栅极电荷和优化的热性能。这些特性使其非常适合用于电机驱动、逆变器、不间断电源 (UPS) 和其他工业控制领域。

参数

最大漏源电压:75V
  持续漏极电流:75A
  导通电阻:2.5mΩ
  栅极电荷:80nC
  总电容:1600pF
  工作温度范围:-55℃ 至 175℃
  封装类型:TO-247

特性

STB75NF75L 具有以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),可有效降低传导损耗。
  2. 快速开关速度,减少开关损耗,提升系统效率。
  3. 高雪崩能量能力,增强了器件在异常情况下的鲁棒性。
  4. 优化的热阻抗设计,确保在高功率应用场景中的可靠性。
  5. 符合 RoHS 标准,绿色环保。
  6. 支持高达 175°C 的结温,适应苛刻的工作环境。

应用

STB75NF75L 广泛应用于多种电力电子设备中,包括但不限于以下领域:
  1. 电机驱动与控制。
  2. 工业逆变器。
  3. 不间断电源 (UPS) 系统。
  4. 太阳能逆变器。
  5. 开关模式电源 (SMPS)。
  6. 电动汽车中的牵引逆变器。
  7. 各类高效功率转换电路。

替代型号

STB80NF75L
  IRF7548
  FDP8875

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STB75NF75L参数

  • 典型关断延迟时间110 ns
  • 典型接通延迟时间35 ns
  • 典型栅极电荷@Vgs75 nC V @ 5
  • 典型输入电容值@Vds4300 pF V @ 25
  • 安装类型表面贴装
  • 宽度9.35mm
  • 封装类型D2PAK
  • 尺寸10.4 x 9.35 x 4.6mm
  • 引脚数目3
  • 最低工作温度-55 °C
  • 最大功率耗散300000 mW
  • 最大栅源电压±15 V
  • 最大漏源电压75 V
  • 最大漏源电阻值0.011
  • 最大连续漏极电流75 A
  • 最高工作温度+175 °C
  • 每片芯片元件数目1
  • 类别功率 MOSFET
  • 通道模式增强
  • 通道类型N
  • 配置
  • 长度10.4mm
  • 高度4.6mm