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STB55NE06L 发布时间 时间:2025/7/22 21:01:44 查看 阅读:4

STB55NE06L是一款由意法半导体(STMicroelectronics)制造的N沟道增强型功率MOSFET。该器件专为高效率功率转换应用而设计,具有低导通电阻(RDS(on))和高电流容量的特点。STB55NE06L采用先进的沟槽技术,提供卓越的电气性能和热稳定性。该MOSFET通常用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制和负载开关等应用场景。

参数

类型:N沟道MOSFET
  最大漏源电压(VDS):60V
  最大漏极电流(ID):55A(连续)
  导通电阻(RDS(on)):最大22毫欧(在VGS=10V时)
  栅极阈值电压(VGS(th)):2V至4V(在25°C)
  最大功率耗散(PD):160W
  工作温度范围:-55°C至175°C
  封装形式:TO-220AB

特性

STB55NE06L具有多个显著的电气和热性能优势。首先,其低导通电阻可以显著降低导通状态下的功率损耗,从而提高整体效率并减少散热需求。其次,该器件采用了先进的沟槽栅技术,提供优异的开关性能,适用于高频开关应用。此外,STB55NE06L的封装形式(TO-220AB)具有良好的热传导性能,有助于提高器件在高负载条件下的稳定性。
  该MOSFET具备高雪崩耐受能力和优秀的短路稳定性,使其在恶劣工作条件下仍能保持可靠运行。其栅极驱动电压范围较宽(通常为4.5V至10V),允许使用标准的MOSFET驱动器进行控制。此外,STB55NE06L还具有较低的输入电容和反向恢复电荷,有助于减少开关损耗并提升系统效率。
  从制造工艺来看,该器件采用了意法半导体成熟且可靠的功率MOSFET制造工艺,确保了产品的一致性和长期可靠性。适用于多种工业和消费类应用,包括但不限于电源适配器、UPS系统、电动工具和电动车控制器。

应用

STB55NE06L广泛应用于需要高效功率管理的各类电子设备中。常见应用包括开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、电机驱动电路、电池管理系统、负载开关和电源分配系统。在汽车电子领域,该MOSFET可用于车载充电器、车灯控制系统和电动助力转向系统。在工业自动化方面,STB55NE06L适用于变频器、伺服驱动器和不间断电源(UPS)等设备。此外,该器件也适用于需要高电流和高效率的消费电子产品,如高性能笔记本电脑电源适配器和大功率LED照明系统。

替代型号

IRFZ44N, FDP55N06, IPW55N06CD, STB55NF06

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